【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率器件基板制造,具体而言,涉及一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构。
技术介绍
1、如今,功率模块在多个领域都有着广泛的应用。
2、在传统的功率模块中,为了将芯片可靠的安装在基板上,需要多层界面结合,但制备处的模块器件功率等级低,杂散电感大;二随着新能源的快速发展,功率器件也向着集成化、高频化、高效化的方向发展,对于功率模块的封装形式和工艺提出了更高的要求。
3、为了适应现在的功率模块需求,需要提高功率模块的寿命以及可靠性,使其可以更好地应用于新能源汽车电子,风力太阳能,新能源充电桩等领域。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构,其可以制造出寿命更强、可靠性更高的功率模块。
2、本专利技术的实施例通过以下技术方案实现:
3、一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,包括以下步骤:
4、通过增材制造技术制备表面具有导电层拓扑图案的陶瓷基板;
5、对所述陶瓷基板进行覆铜表面的
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1.一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,所述通过增材制造技术制备表面具有导电层拓扑图案的陶瓷基板的方法为:
3.根据权利要求2所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,所述陶瓷基板的材料采用Si3N4或Al2O3或AlN。
4.根据权利要求1所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,对所述陶瓷基板进行覆铜表面的粗糙化处理的方法为:对所述陶瓷基板进行喷砂处理。
5.根据权利要求4所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,
...【技术特征摘要】
1.一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,所述通过增材制造技术制备表面具有导电层拓扑图案的陶瓷基板的方法为:
3.根据权利要求2所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,所述陶瓷基板的材料采用si3n4或al2o3或aln。
4.根据权利要求1所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,对所述陶瓷基板进行覆铜表面的粗糙化处理的方法为:对所述陶瓷基板进行喷砂处理。
5.根据权利要求4所述的一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法,其特征在于,对所述陶瓷基板进行覆铜表面的粗糙化处理后,对所述陶瓷基板进行清洁处理。
6.根据权利要求5所述的一种增材制造...
【专利技术属性】
技术研发人员:仵金玲,高巍,戴茂州,
申请(专利权)人:成都蓉矽半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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