【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
场效应晶体管作为一种电压控制器件，通过输入电压控制输出电流的变化，目前被广泛应用于各种电子线路中。栅极作为场效应晶体管内的重要组成部分，其结构的变化直接影响场效应晶体管内导电沟道的形貌变化，继而在栅极上施加电压后，因此栅极结构的变化导致的器件导电沟道的形貌变化对器件的性能将产生重大影响。随着器件尺寸的越来越小，对场效应晶体管的性能要求也越来越高，鳍式场效应晶体管是现阶段得到广泛应用的场效应晶体管。然而，现有的鳍式场效应晶体管性能还有待改善。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提升半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的鳍部结构，所述鳍部结构包括位于衬底上的第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区平行于衬底表面的最小尺寸为第一尺寸，所述第一区的顶部尺寸为第二尺寸，所述第二区的底部尺寸为...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于衬底上的鳍部结构，所述鳍部结构包括位于衬底上的第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区平行于衬底表面的最小尺寸为第一尺寸，所述第一区的顶部尺寸为第二尺寸，所述第二区的底部尺寸为第三尺寸，所述第一尺寸小于所述第三尺寸，且所述第二尺寸小于或等于第三尺寸。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底上的鳍部结构，所述鳍部结构包括位于衬底上的第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区平行于衬底表面的最小尺寸为第一尺寸，所述第一区的顶部尺寸为第二尺寸，所述第二区的底部尺寸为第三尺寸，所述第一尺寸小于所述第三尺寸，且所述第二尺寸小于或等于第三尺寸。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区的底部尺寸为第四尺寸。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第四尺寸小于17nm。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一尺寸小于或等于第四尺寸，且所述第一尺寸小于或等于所述第二尺寸。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区的顶部尺寸为第五尺寸。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第五尺寸小于15nm。
7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第三尺寸大于第五尺寸且小于20nm。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区的侧壁与所述衬底暴露出的表面之间的夹角为直角或钝角。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区在垂直于所述衬底表面方向具有第一高度，所述第二区在垂直于所述衬底表面方向具有第二高度，所述第一高度大于七分之一的第二高度且小于三分之一的第二高度。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二高度的范围为200埃～700埃。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一区顶部表面和侧壁表面、第二区侧壁表面的栅极结构。
12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：基底以及位于基底上的隔离结构，所述鳍部结构位于所述基底表面，且所述第一区的底部高于或者齐平于所述隔离结构的顶部表面。
13.一种形成如权利要求1至12任一项半导体结构的方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上具有初始...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪世良，洪中山，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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