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一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的鳍部结构，所述鳍部结构包括位于衬底上的第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区平行于衬底表面的最小尺寸为第一尺寸，所述第一区的顶部尺寸为第二尺寸，所述第二区的底部尺寸为第三尺寸，所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。