半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构及其制造方法，其结构包括第一掺杂类型的衬底、穿通区、第一注入区以及第二注入区，穿通区、第一注入区以及第二注入区为第二掺杂类型，穿通区上定义有沟槽区，沟槽区将衬底划分为多个芯片区；第一注入区和第二注入区均与穿通区相连通。第一注入区与衬底形成PN结，第二注入区与衬底也形成PN结，又由于第一注入区和第二注入区通过穿通区连通，因此，可以在衬底中形成PN结的各种器件，该器件可以根据电路设计的需要，选择在不同位置引出电极，从而加工成为不同功能的器件，具有很强的应用灵活性，由于前序工艺固定，不必要再多设计掩膜版或其他刻蚀步骤，因此，可以提高生产效率，也可以降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，称为PN结（PNjunction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，常用的器件例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础就是PN结。随着集成电路(IC)的发展，由于各个半导体器件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。大多数情况下，这种集成密度的改进来自于最小特征尺寸的不断减小，这允许更多的部件集成到给定的区域。随着各种大小智能家电的发展，半导体器件的使用场景越来越频繁，甚至需要将多个半导体器件集成在一个集成电路板中，不同的客户会有不同的电路设计，因此，需要具有不同功能的半导体器件以不同的封装方式集成在应用电路板中，而不同功能的半导体器件以及不同的封装方式都需要不同的加工或制作方式，导致制作成本较高。因此，需要能够提供一种能够用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供第一掺杂类型的衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；/n采用穿通工艺，对所述衬底进行穿通，形成穿通区，所述穿通区为第二掺杂类型，所述穿通区上定义有沟槽区，所述沟槽区将所述衬底划分为多个芯片区；/n采用扩散工艺，在所述衬底的第一表面形成第一注入区，在所述第二表面形成第二注入区；所述第一注入区位于沿部分第一表面深入的衬底内部，所述第一注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；所述第二注入区位于沿第二表面深入的衬底内部，所述第二注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一掺杂类型的衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；
采用穿通工艺，对所述衬底进行穿通，形成穿通区，所述穿通区为第二掺杂类型，所述穿通区上定义有沟槽区，所述沟槽区将所述衬底划分为多个芯片区；
采用扩散工艺，在所述衬底的第一表面形成第一注入区，在所述第二表面形成第二注入区；所述第一注入区位于沿部分第一表面深入的衬底内部，所述第一注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通；所述第二注入区位于沿第二表面深入的衬底内部，所述第二注入区与所述穿通区的掺杂类型相同，且与所述穿通区相连通。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：采用扩散工艺，形成第三注入区，所述第三注入区位于沿部分第一表面深入的衬底内部，与所述第一注入区不连通，所述第三注入区与所述穿通区的掺杂类型相同。


3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，还包括：
采用钝化工艺，在所述衬底表面进行钝化；
采用光刻工艺，利用光阻做掩膜，并进行蚀刻，露出导出电极窗口；
在所述导出电极窗口上沉积金属层，形成电极。


4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺，利用光阻做掩膜，并进行蚀刻，露出导出电极窗口，包括：
蚀刻以露出所述第二注入区的表面以及第一表面中除过第一注入区的其余部分的表面，作为导出电极窗口；
或者，
蚀刻以露出所述第一注入区的表面以及第一表面中除过第一注入区的其余部分的表面，作为导出电极窗口。


5.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺，利用光阻做掩膜，并进行蚀刻，露出导出电极窗口，包括：
蚀刻以露出所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓锋，黄富强，
申请(专利权)人：浙江里阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33