温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其制造方法，其结构包括第一掺杂类型的衬底、穿通区、第一注入区以及第二注入区，穿通区、第一注入区以及第二注入区为第二掺杂类型，穿通区上定义有沟槽区，沟槽区将衬底划分为多个芯片区；第一注入区和第二注入区均与穿通区相连通。第一注入...
该专利属于浙江里阳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江里阳半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。