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本新型涉及一种新型碳化硅纵向扩散MOSFET，包括具有第二导电类型的碳化硅衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于衬底上，其中漂移区具有掺杂浓度于纵向方向上呈梯度分布；一个或一个以上的接触设置于漂移区的表面，每一个接触是利用离子注入的方式形成...
该专利属于成都蓉矽半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都蓉矽半导体有限公司授权不得商用。

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