一种封装结构制造技术

本申请公开了一种封装结构，所述封装结构在载片表面设置了包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅的组合电路，通过与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚实现组合电路的引出，并通过统一的塑封体实现多个引脚和组合电路的封装，提高了封装结构的集成度，有利于提高使用所述封装结构的集成电路的集成度，节约该封装结构所占空间，解决了传统集成电路多采用分立器件而造成的外围器件多、结构复杂和系统成本高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构
本申请涉及集成电路
，更具体地说，涉及一种封装结构。
技术介绍
为了满足各类电子设备、工业设备等的小型化要求，集成电路(IntegratedCircuit)的设计和封装过程均朝着小型化的方向不断努力。功率器件，又称功率半导体器件或电力电子器件(PowerElectronicDevice)，是主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件。功率器件的应用非常广泛，绝大部分的电源管理系统都需要采用。在传统的集成电路中，通常需要多种类型的功率器件相互配合，共同完成相应的功能，大量的功率器件均零散设置在电路板上的情况导致了集成电路的集成度较低，外围器件较多，结构复杂的问题，满足不了高品质产品的要求。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种封装结构，通过将多个功率器件封装在一起的方式，提高了集成电路的集成度，解决了传统集成电路多采用分立器件造成的外围器件多、结构复杂和系统成本高的问题。为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：一种封装结构，包括：<br>载片；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n载片；/n设置于所述载片表面的组合电路，所述组合电路包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅；/n与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚，所述多个引脚引出所述组合电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
载片；
设置于所述载片表面的组合电路，所述组合电路包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅；
与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚，所述多个引脚引出所述组合电路。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述快恢复二极管包括第一端和第二端；
所述可控硅包括第一端、第二端和第三端。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述多个引脚包括第三引脚；
所述载片与所述第三引脚电连接，以使所述第三引脚引出所述快恢复二极管的第二端以及所述可控硅的第一端。


4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述快恢复二极管的第一端设置于所述快恢复二极管远离所述载片一侧的表面；
所述快恢复二极管的第二端设置于所述快恢复二极管朝向所述载片一侧表面；
所述快恢复二极管的第一端通过第一类焊线与第五引脚电连接；
所述快恢复二极管的第二端与所述载片电连接。


5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述多个引脚还包括第一引脚和第二引脚；
所述可控硅的第一端设置于所述可控硅朝向所述载片一侧的表面；
所述可控硅的第二端和所述可控硅的第三端均设置于所述可控硅背离所述载片一侧的表面；
所述可控硅的第一端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲克峰，
申请(专利权)人：杭州友旺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33