一种封装结构制造技术

本申请公开了一种封装结构，所述封装结构在载片表面设置了包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅的组合电路，通过与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚实现组合电路的引出，并通过统一的塑封体实现多个引脚和组合电路的封装，提高了封装结构的集成度，有利于提高使用所述封装结构的集成电路的集成度，节约该封装结构所占空间，解决了传统集成电路多采用分立器件而造成的外围器件多、结构复杂和系统成本高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构
本申请涉及集成电路
，更具体地说，涉及一种封装结构。
技术介绍
为了满足各类电子设备、工业设备等的小型化要求，集成电路(IntegratedCircuit)的设计和封装过程均朝着小型化的方向不断努力。功率器件，又称功率半导体器件或电力电子器件(PowerElectronicDevice)，是主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件。功率器件的应用非常广泛，绝大部分的电源管理系统都需要采用。在传统的集成电路中，通常需要多种类型的功率器件相互配合，共同完成相应的功能，大量的功率器件均零散设置在电路板上的情况导致了集成电路的集成度较低，外围器件较多，结构复杂的问题，满足不了高品质产品的要求。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种封装结构，通过将多个功率器件封装在一起的方式，提高了集成电路的集成度，解决了传统集成电路多采用分立器件造成的外围器件多、结构复杂和系统成本高的问题。为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：一种封装结构，包括：载片；设置于所述载片表面的组合电路，所述组合电路包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅；与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚，所述多个引脚引出所述组合电路。可选的，所述快恢复二极管包括第一端和第二端；所述可控硅包括第一端、第二端和第三端。可选的，所述多个引脚包括第三引脚；所述载片与所述第三引脚电连接，以使所述第三引脚引出所述快恢复二极管的第二端以及所述可控硅的第一端。可选的，所述快恢复二极管的第一端设置于所述快恢复二极管远离所述载片一侧的表面；所述快恢复二极管的第二端设置于所述快恢复二极管朝向所述载片一侧表面；所述快恢复二极管的第一端通过第一类焊线与第五引脚电连接；所述快恢复二极管的第二端与所述载片电连接。可选的，所述可控硅的第一端设置于所述可控硅朝向所述载片一侧的表面；所述可控硅的第二端和所述可控硅的第三端均设置于所述可控硅背离所述载片一侧的表面；所述可控硅的第一端与所述载片电连接；所述可控硅的第二端通过所述第一类焊线与所述第一引脚电连接；所述可控硅的第三端通过第二类焊线与所述第二引脚电连接。可选的，所述第一类焊线的直径大于所述第二类焊线的直径。可选的，所述第一类焊线的直径的取值范围为5mil～20mil；所述第二类焊线的直径的取值范围为1mil～5mil。可选的，所述组合电路包括一个所述快恢复二极管和一个所述可控硅。可选的，所述组合电路包括多个所述快恢复二极管和多个所述可控硅；多个所述快恢复二极管并联；多个所述可控硅并联。可选的，还包括：散热片；所述散热片与所述载片的一端连接，且被所述塑封体暴露在外。可选的，所述快恢复二极管的反向耐压值的取值范围为100V～1000V，所述快恢复二极管的电流能力的取值范围为3A～30A；所述可控硅的耐压值的取值范围为100V～1000V，所述可控硅的电流能力的取值范围为3A～30A。从上述技术方案可以看出，本申请提供了一种封装结构，所述封装结构在载片表面设置了包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅的组合电路，通过与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚实现组合电路的引出，并通过统一的塑封体实现多个引脚和组合电路的封装，提高了封装结构的集成度，有利于提高使用所述封装结构的集成电路的集成度，解决了传统集成电路多采用分立器件而造成的外围器件多、结构复杂和系统成本高的问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请的一个实施例提供的一种封装结构的结构示意图；图2为本申请的一个实施例提供的一种组合电路的电路结构示意图；图3为本申请的另一个实施例提供的一种组合电路的电路结构示意图；图4为本申请的又一个实施例提供的一种组合电路的电路结构示意图；图5为本申请的一个实施例提供的一种封装结构的主视图。具体实施方式正如
技术介绍
中所述，现有技术中的集成电路多采用分立的功率器件进行电路搭建，这些分立的功率器件都需要各自的封装结构实现电路保护或散热等目的，这就导致现有技术中的集成电路需要设置大面积的电路板来容纳这些功率器件，还需要设置复杂的走线线路和大量的外围器件实现这些功率器件的电连接，造成了现有的集成电路的集成度较低、外围器件较多、结构复杂和成本较高的问题。有鉴于此，本申请实施例提供了一种封装结构，包括：载片；设置于所述载片表面的组合电路，所述组合电路包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅；与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚，所述多个引脚用于引出所述组合电路。所述封装结构在载片表面设置了包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅的组合电路，通过与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚实现组合电路的引出，并通过统一的塑封体实现多个引脚和组合电路的封装，提高了封装结构的集成度，有利于提高使用所述封装结构的集成电路的集成度，节约该封装结构所占空间，解决了传统集成电路多采用分立器件而造成的外围器件多、结构复杂和系统成本高的问题。下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种封装结构，如图1和图2所示，所述封装结构包括：载片5；设置于所述载片5表面的组合电路13，所述组合电路13包括至少一个快恢复二极管2(FastRecoveryDiode，FRD)和至少一个可控硅12(SiliconControlledRectifier，SCR)；与所述快恢复二极管2和/或可控硅12电连接的多个引脚，所述多个引脚用于引出所述组合电路13。引脚又可称为管脚，是指从封装结构内部，将组合电路13的连接节点引出到外部的接线。所有的引脚构成了组合电路13的封装结构的接口。所述载片5又可称为基片，是指用于承载组合电路13的结构。在图1中，多个引脚分别以标号4、6、7、8和10标出。通常情况下，引脚的一端与可控硅12或快恢复二极管2连接，另一端则暴露在塑封体外侧以便与其他电路结构或元件连接，即在本申请的一个实施例中，所述多个引脚远离所述组合电路13的一端暴露在所述塑封体外部。在本实施例中，每个所述引脚可以单独与快恢复二极管2的一个连接节点(或称“极”本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n载片；/n设置于所述载片表面的组合电路，所述组合电路包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅；/n与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚，所述多个引脚引出所述组合电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
载片；
设置于所述载片表面的组合电路，所述组合电路包括至少一个快恢复二极管和至少一个可控硅；
与所述快恢复二极管和/或可控硅电连接的多个引脚，所述多个引脚引出所述组合电路。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述快恢复二极管包括第一端和第二端；
所述可控硅包括第一端、第二端和第三端。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述多个引脚包括第三引脚；
所述载片与所述第三引脚电连接，以使所述第三引脚引出所述快恢复二极管的第二端以及所述可控硅的第一端。


4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述快恢复二极管的第一端设置于所述快恢复二极管远离所述载片一侧的表面；
所述快恢复二极管的第二端设置于所述快恢复二极管朝向所述载片一侧表面；
所述快恢复二极管的第一端通过第一类焊线与第五引脚电连接；
所述快恢复二极管的第二端与所述载片电连接。


5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述多个引脚还包括第一引脚和第二引脚；
所述可控硅的第一端设置于所述可控硅朝向所述载片一侧的表面；
所述可控硅的第二端和所述可控硅的第三端均设置于所述可控硅背离所述载片一侧的表面；
所述可控硅的第一端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲克峰，
申请(专利权)人：杭州友旺电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33