半导体封装件制造技术

本发明专利技术可提供一种半导体封装件，其包括：半导体芯片；中介层，在所述半导体芯片上；以及模塑层，覆盖所述半导体芯片的至少一部分及所述中介层的至少一部分。所述中介层包括中介层衬底及穿透所述中介层衬底并与所述半导体芯片电绝缘的热耗散图案。所述热耗散图案包括设置在所述中介层衬底中的贯穿电极以及设置在所述中介层衬底的上表面上并连接到所述贯穿电极的上接垫。所述模塑层覆盖所述中介层衬底的上表面及所述上接垫的侧壁的至少一部分。所述上接垫的上表面的至少一部分不由所述模塑层覆盖。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件[相关申请的交叉参考]本申请主张在2019年6月7日向韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2019-0067575号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全部并入本文中供参考。
本专利技术的示例性实施例涉及半导体封装件，且更具体来说，涉及具有改善的热耗散性质的半导体封装件。
技术介绍
一般来说，对通过对晶片执行各种半导体工艺而形成的半导体芯片执行封装工艺。近来，各种类型的半导体芯片被封装在单个封装件中，且半导体芯片彼此电连接以作为单个系统而操作。然而，在半导体芯片的操作期间，会产生过多热量。半导体封装件可能由于过多热量而降级。
技术实现思路
根据本专利技术概念的示例性实施例，一种半导体封装件包括：第一半导体芯片；第一中介层，在所述第一半导体芯片上，所述第一中介层包括第一中介层衬底及第一热耗散图案，所述第一热耗散图案穿过所述第一中介层衬底并与所述第一半导体芯片电绝缘；以及模塑层，覆盖所述第一半导体芯片的至少一部分及所述第一中介层的至少一部分。所述第一热耗散图案可包括穿过所述第一中介层衬底的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n第一半导体芯片；/n第一中介层，在所述第一半导体芯片上，所述第一中介层包括第一中介层衬底及第一热耗散图案，所述第一热耗散图案穿过所述第一中介层衬底并与所述第一半导体芯片电绝缘；以及/n模塑层，覆盖所述第一半导体芯片的至少一部分及所述第一中介层的至少一部分，/n其中所述第一热耗散图案包括穿过所述第一中介层衬底的第一贯穿电极以及在所述第一中介层衬底的上表面上并连接到所述第一贯穿电极的第一上接垫，/n所述模塑层覆盖所述第一上接垫的侧壁的至少一部分及所述第一中介层衬底的所述上表面的至少一部分，且/n所述第一上接垫的上表面的至少一部分不由所述模塑层覆盖。/n

【技术特征摘要】
20190607 KR 10-2019-00675751.一种半导体封装件，包括：
第一半导体芯片；
第一中介层，在所述第一半导体芯片上，所述第一中介层包括第一中介层衬底及第一热耗散图案，所述第一热耗散图案穿过所述第一中介层衬底并与所述第一半导体芯片电绝缘；以及
模塑层，覆盖所述第一半导体芯片的至少一部分及所述第一中介层的至少一部分，
其中所述第一热耗散图案包括穿过所述第一中介层衬底的第一贯穿电极以及在所述第一中介层衬底的上表面上并连接到所述第一贯穿电极的第一上接垫，
所述模塑层覆盖所述第一上接垫的侧壁的至少一部分及所述第一中介层衬底的所述上表面的至少一部分，且
所述第一上接垫的上表面的至少一部分不由所述模塑层覆盖。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一上接垫在水平方向上的宽度大于所述第一贯穿电极在所述水平方向上的宽度。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一热耗散图案进一步包括覆盖所述第一上接垫的上覆盖层。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一热耗散图案进一步包括第一下接垫，所述第一下接垫在所述第一中介层衬底的下表面上并连接到所述第一贯穿电极。


5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中所述第一下接垫在水平方向上的宽度大于所述第一贯穿电极在所述水平方向上的宽度。


6.根据权利要求4所述的半导体封装件，进一步包括：
第一热界面材料，在所述第一中介层与所述第一半导体芯片之间并覆盖所述第一下接垫的侧壁。


7.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中所述第一热耗散图案进一步包括覆盖所述第一下接垫的下覆盖层。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，进一步包括：
第二半导体芯片，在所述第一半导体芯片上；以及
第二中介层，在所述第二半导体芯片上，所述第二中介层包括第二中介层衬底及穿过所述第二中介层衬底的第二热耗散图案，
其中所述第二热耗散图案与所述第二半导体芯片电绝缘，且
所述第二热耗散图案的顶部突出到所述第二中介层衬底上方。


9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中所述第一中介层包括突出部分，所述突出部分环绕所述第二半导体芯片的侧壁。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一中介层包括彼此间隔开的第一子中介层及第二子中介层。


11.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中
所述第一中介层进一步包括多个第三热耗散图案，且
所述第二中介层包括多个第二热耗散图案，所述多个第二热耗散图案包括所述第二热耗散图案，且
所述多个第三热耗散图案的密度不同于所述多个第二热耗散图案的密度。


12.根据权利要求1所述的半导体封装件，进一步包括：
第二半导体芯片，在所述第一半导体芯片上，
其中所述第二半导体芯片的上面设置有芯片接垫的第一表面面向所述第一半导体芯片，且
所述第二半导体芯片通过穿透所述第一半导体芯片的硅穿孔电连接到所述第一半导体芯片。


13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一中介层衬底包含有机材料。


14.一种半导体封装件，包括：
第一半导体芯片；
第二半导体芯片，在所述第一半导体芯片上；
第一中介层，在所述第一半导体芯片上，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泳龙，郑命杞，张艾妮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR