集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构制造技术

技术编号:26481037 阅读:46 留言:0更新日期:2020-11-25 19:26
一种集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构,包括:一天线模块;以及一射频前端模块,置于天线模块下方,所述射频前端模块包括:一号芯板,内部包括至少一通槽;至少一有源芯片,一侧表面为有源面,另一侧表面为背部金属,该有源芯片埋置于所述一号芯板的通槽中;一号介质层,置于一号芯板下方,与一号芯板中通槽的对应位置设置有通槽;二号芯板,置于一号介质层下方,上表面设置有多个元器件焊盘;其中,所述有源芯片有源面一侧朝下,倒装在所述二号芯板上表面元器件焊盘之上;二号介质层,置于一号芯板上方,内部穿设有多个金属化盲孔。

【技术实现步骤摘要】
集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构
本专利技术涉及半导体封装
,尤其涉及了集成毫米波天线和射频前端的有机基板埋入封装结构。
技术介绍
为了提高集成度,国际半导体技术发展路线组织提出超越摩尔定律,旨在将处理器、存储器、射频模块、数字模块、模拟模块、光电模块、传感模块等集成在单一封装体中实现系统级封装(SysteminPackage,SiP),如果将天线也集成在系统级封装中,则称为天线级封装(AntennainPackage,AiP)。目前对AiP的研究主要集中在单芯片收发机与天线的集成,然而,实现多芯片射频前端和天线阵列集成,面临如下技术问题:射频前端所用毫米波芯片多基于化合物半导体工艺,其有源面表面传输线和电感电容空气桥及背部接地要求使芯片的封装形式局限于引线键合,但是随着工作频率升高,键合线的寄生效应越专利技术显;同时,电子产品对封装体轻薄化和小型化需求不断提高,但轻薄化的封装结构限制了天线基底厚度,从而限制了天线性能的提高;此外,将天线与射频前端集成时,有源芯片与有源芯片间、天线与有源芯片间的电磁干扰性问题尤为严重;再有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构,包括:/n一天线模块;以及/n一射频前端模块,置于天线模块下方,包括:/n一号芯板,内部包括至少一通槽;/n至少一有源芯片,一侧表面为有源面,另一侧表面为背部金属,该有源芯片埋置于所述一号芯板的通槽中;/n一号介质层,置于一号芯板下方,与一号芯板中通槽的对应位置设置有通槽;/n二号芯板,置于一号介质层下方,上表面设置有多个元器件焊盘和互连结构;/n二号介质层,置于一号芯板上方,内部穿设有多个金属化盲孔;/n其中,所述有源芯片有源面一侧朝下,倒装在所述二号芯板上表面元器件焊盘之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成天线和射频前端的有机基板埋入封装结构,包括:
一天线模块;以及
一射频前端模块,置于天线模块下方,包括:
一号芯板,内部包括至少一通槽;
至少一有源芯片,一侧表面为有源面,另一侧表面为背部金属,该有源芯片埋置于所述一号芯板的通槽中;
一号介质层,置于一号芯板下方,与一号芯板中通槽的对应位置设置有通槽;
二号芯板,置于一号介质层下方,上表面设置有多个元器件焊盘和互连结构;
二号介质层,置于一号芯板上方,内部穿设有多个金属化盲孔;
其中,所述有源芯片有源面一侧朝下,倒装在所述二号芯板上表面元器件焊盘之上。


2.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述的射频前端模块,还包括至少一表贴无源元件,所述表贴无源元件一侧有焊盘,埋置于一号芯板的通槽中,其中有焊盘一侧朝下,倒装在二号芯板上表面元器件焊盘之上。


3.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述的射频前端模块,还包括至少一单层电容器,所述单层电容器埋置于一号芯板的通槽中,倒装在二号芯板上表面元器件焊盘之上。


4.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述一号芯板的通槽的侧壁还镀有一号金属层,所述一号金属层与所述有源芯片间还配置一介质层。


5.根据权利要求4所述的封装结构,其中所述的二号芯板上穿设有多个电磁屏蔽孔栅,与所述一号金属层构成金属屏蔽腔。


6.根据权利要求3所述的封装结构,其中所述的二号芯板上穿设有多个金属化盲孔,所述的有源芯片、埋入表贴...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛梅王启东曹立强宋阳
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:北京;11

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