光学邻近修正模型的校正方法技术

一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有待测量图形的原始版图；确定待测量图形的待测量位置；通过原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；获取待测量位置对应在物理晶圆图形上的关键尺寸为第一尺寸；执行检测工艺，包括：采用OPC模型对原始版图进行模拟，获得模拟图形；根据待测量位置在模拟图形上选定第一待测量区域，并采集第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据多个关键尺寸的量测数据和第一尺寸类型，获取待测量位置对应在模拟图形上的关键尺寸为第二尺寸；根据第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；当未满足要求时，校正OPC模型，并返回执行检测工艺的步骤。本发明专利技术提高OPC精准度。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正模型的校正方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正模型的校正方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义，光刻技术的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率。在光刻工艺开始之前，晶圆版图会先通过特定的设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(例如为248纳米的紫外光)，将掩膜版上的图形复制到生产所用的晶圆上。但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将图形转移到晶圆上的过程中会发生失真现象，在晶圆上所形成的图形相较于掩模版图形会出现变形和偏差。出现失真现象的原因主要是光学邻近效应(opticalproximityeffect，OPE)。为了解决上述问题，通常采用光学邻近修正(opticalproximitycorrection，OPC)方法，对光刻过程中的误差进行修正，OPC方法即为对掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修正，使得修正补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应，因此，采用由OPC后的版图数据所制成的掩膜版，经过光刻后，在晶圆上能够得到预期的目标图形。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正模型的校正方法，提高光学邻近修正的精准度。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有待测量图形的原始版图；确定所述待测量图形的待测量位置；通过所述原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸；执行检测工艺，所述检测工艺的步骤包括：采用光学邻近修正模型对所述原始版图中的图形进行模拟，获得模拟图形；根据所述待测量位置，在所述模拟图形上选定第一待测量区域，并采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及所述第一尺寸的类型，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸；根据所述第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；当误差函数值的收敛性满足光学邻近修正的要求时，完成对光学邻近修正模型的校正；当误差函数值的收敛性未满足光学邻近修正的要求时，校正所述光学邻近修正模型，并返回执行所述检测工艺的步骤。可选的，获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸的步骤包括：根据所述待测量位置，在所述物理晶圆上选定第二待测量区域，并采集所述物理晶圆图形在所述第二待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据所述第二待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及关键尺寸类型，获取所述第一尺寸。可选的，所述第一尺寸的类型包括所述物理晶圆图形的关键尺寸的最小值、关键尺寸的最大值或关键尺寸的平均值。可选的，所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的最小值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，从所述量测数据中提取最小值作为所述第二尺寸；或者，所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的最大值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，从所述量测数据中提取最大值作为所述第二尺寸；或者，所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的平均值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，计算所述量测数据的平均值作为所述第二尺寸。可选的，采用公式(Ⅰ)作为所述误差函数，其中，所述wi为关键尺寸的权重，所述CDi,w为所述第一尺寸的值，所述CDi,s为所述第二尺寸的值，N为取样量。可选的，所述第一待测量区域的形状为矩形。可选的，所述模拟图形沿第一方向的尺寸为所述第二尺寸，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；所述第一待测量区域沿所述第二方向的宽度至少为1纳米。可选的，所述第一待测量区域沿所述第二方向的宽度为1纳米至100纳米。可选的，采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据的步骤中，所述量测数据的数据量为2个至20个。可选的，所述模拟图形由多条边围成；采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据的步骤包括：沿所述模拟图形的轮廓，在所述第一待测量区域中的同一条边上选定多个测量点；其中，同一条边上的相邻测量点的距离相等。可选的，通过所述原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形的步骤包括：将所述原始版图中的图形转移至测试掩膜版上；利用光刻工艺，将所述测试掩膜版上的图形转移至物理晶圆上。可选的，在所述模拟图形上选定第一待测量区域的步骤包括：根据所述待测量图形上的待测量位置的坐标信息，获取对应于所述模拟图形上的待测量位置的坐标信息；根据所述模拟图形上的待测量位置的坐标信息，选定所述第一待测量区域，且所述模拟图形上的待测量位置位于所述第一待测量区域内。可选的，采用CDSEM测量的方式，获取所述第一尺寸。可选的，所述光学邻近修正模型为基于模型的光学邻近修正模型。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：本专利技术实施例提供一种光学邻近修正模型(OPCmodel)的校正方法，所述方法包括根据原始版图中待测量图形的待测量位置，获取所述待测量位置对应在物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸，还包括执行检测工艺，采集模拟图形在第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据，随后根据所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及所述第一尺寸的类型，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸，并根据所述第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求，用于进行光学邻近修正模型的校准；本专利技术实施例通过在所述模拟图形上选定第一待测量区域，以增大所述模拟图形的关键尺寸的量测数据的采集量，从而能够从所述模拟图形的多个关键尺寸的量测数据中提取与所述第一尺寸最相关的关键尺寸作为第二尺寸，并通过所述第二尺寸和第一尺寸校准光学邻近修正模型，进而能够减小因模拟图形和物理晶圆图形的测量位置不一致而引起的误差，使得光学邻近修正模型的精度得到提高，相应提高了光学邻近修正的精准度。附图说明图1是一种光学邻近修正模型校正方法的流程示意图；图2是一种模拟图形的关键尺寸测量方法的示意图；图3是本专利技术光学邻近修正模型的校正方法一实施例的流程示意图；图4是图3中步骤S3的流程示意图；图5是本专利技术一实施例提供的原始版图图形的示意图；图6是本专利技术一实施例提供的物理晶圆图形的电镜图；图7是本专利技术一实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，包括：/n提供具有待测量图形的原始版图；/n确定所述待测量图形的待测量位置；/n通过所述原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；/n获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸；/n执行检测工艺，所述检测工艺的步骤包括：采用光学邻近修正模型对所述原始版图中的图形进行模拟，获得模拟图形；根据所述待测量位置，在所述模拟图形上选定第一待测量区域，并采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及所述第一尺寸的类型，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸；/n根据所述第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；/n当误差函数值的收敛性满足光学邻近修正的要求时，完成对光学邻近修正模型的校正；当误差函数值的收敛性未满足光学邻近修正的要求时，校正所述光学邻近修正模型，并返回执行所述检测工艺的步骤。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，包括：
提供具有待测量图形的原始版图；
确定所述待测量图形的待测量位置；
通过所述原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；
获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸；
执行检测工艺，所述检测工艺的步骤包括：采用光学邻近修正模型对所述原始版图中的图形进行模拟，获得模拟图形；根据所述待测量位置，在所述模拟图形上选定第一待测量区域，并采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及所述第一尺寸的类型，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸；
根据所述第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；
当误差函数值的收敛性满足光学邻近修正的要求时，完成对光学邻近修正模型的校正；当误差函数值的收敛性未满足光学邻近修正的要求时，校正所述光学邻近修正模型，并返回执行所述检测工艺的步骤。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸的步骤包括：根据所述待测量位置，在所述物理晶圆上选定第二待测量区域，并采集所述物理晶圆图形在所述第二待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；
根据所述第二待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及关键尺寸类型，获取所述第一尺寸。


3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸的类型包括关键尺寸的最小值、关键尺寸的最大值或关键尺寸的平均值。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的最小值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，从所述量测数据中提取最小值作为所述第二尺寸；
或者，
所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的最大值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，从所述量测数据中提取最大值作为所述第二尺寸；
或者，
所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的平均值，获取所述待测量位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31