一种OLED器件及其蒸镀方法技术

一种OLED器件的蒸镀方法，其包括如下工艺步骤：1)对ITO基板进行蒸镀前处理；2)在ITO基板上依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；3)采用三元蒸镀方式，将发光客体材料和空穴型主体材料置于同一个旋转托盘中，将电子型主体材料置于所述旋转托盘外，待发光客体材料蒸镀速率稳定后再加热空穴型主体材料，启动旋转托盘，控制旋转托盘转速为10～15r/min，再打开挡板继续进行蒸镀，得发光层；4)于发光层上依次层叠蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极，得OLED器件成品。本发明专利技术的蒸镀方法有效避免了空穴型主体与电子型主体之间的淬灭现象，大大地提高了该OLED器件的使用寿命和发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件及其蒸镀方法
本专利技术OLED领域，特别涉及一种OLED器件及其蒸镀方法。
技术介绍
近年来，有机发光二极管(OLED)作为一种有巨大应用前景的照明、显示技术，受到了学术界与产业界的广泛关注。铱配合物的磷光材料已经发展得比较成熟，但受到国外的专利封锁，我国开始转向对铂配合物磷光材料的研究。相对于铱配合物的八面体结构，铂配合物形成的是平面结构。这种有机平面结构在聚集时很容易形成π-π结合。然而这种π-π结合有利有弊，有利的是增强有机材料之间的能量传递和电子传输性能，材料更致密的堆叠使材料钢性增加，器件寿命更好，但弊端是材料自身激子浓度过高时，容易发生激子猝灭，降低OLED寿命和效率。在双主体的发光层结构当中，两个主体形成基激复合物，然后将激发的能量传递给发光客体发光。在这个过程中，电子型主体和空穴型主体之间有可能会碰撞猝灭，铂配合物自身激子碰撞也会猝灭，这样就难以避免OLED寿命的减少和效率的降低。因此如何使得蒸镀过程中两主体之间避免发生π-π结合和发光客体自身也避免发生π-π结合，成为了行业亟需解决的一大难题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED器件的蒸镀方法，其特征在于包括如下工艺步骤：/n1)对ITO基板进行蒸镀前处理；/n2)将ITO基板置于蒸镀舱中，控制蒸镀舱中的真空度为2.0～4.0E-5Pa，在ITO基板上依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；/n3)采用三元蒸镀方式，将发光客体材料和空穴型主体材料置于同一个旋转托盘中，将电子型主体材料置于所述旋转托盘外，依次加热电子型主体材料和发光客体材料，待发光客体材料蒸镀速率稳定后再加热空穴型主体材料，当发光客体材料与空穴型主体材料的蒸镀速率达到

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件的蒸镀方法，其特征在于包括如下工艺步骤：
1)对ITO基板进行蒸镀前处理；
2)将ITO基板置于蒸镀舱中，控制蒸镀舱中的真空度为2.0～4.0E-5Pa，在ITO基板上依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；
3)采用三元蒸镀方式，将发光客体材料和空穴型主体材料置于同一个旋转托盘中，将电子型主体材料置于所述旋转托盘外，依次加热电子型主体材料和发光客体材料，待发光客体材料蒸镀速率稳定后再加热空穴型主体材料，当发光客体材料与空穴型主体材料的蒸镀速率达到时，启动旋转托盘，控制旋转托盘转速为10～15r/min，再打开挡板继续进行蒸镀，得发光层；
4)于发光层上依次层叠蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极，得OLED器件成品。


2.根据权利要求1所述的一种OLED器件的蒸镀方法，其特征在于：步骤3)中所述空穴型主体材料为DPQP。


3.根据权利要求1所述的一种OLED器件的蒸镀方法，其特征在于：步骤3)中所述发光客体材料为铂化合物。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭英能，戴雷，蔡丽菲，
申请(专利权)人：四川阿格瑞新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51