【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，特别涉及一种oled器件的制备方法。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled，organic light emitting diode)具有更轻薄、更具柔韧性、耐低温、视野范围更广、响应速度更快、功耗低、宽温度特性、低驱动电压以及能实现高分辨率显示等优点，是近十年来，显示领域最具前景的研究热点。用户对电子设备显示装置的需求越来趋于多样化，而作为显示装置重要发展方向之一的可拉伸显示装置，也逐渐受到了越来越多的关注，oled显示装置由于具有可弯曲、柔韧性佳等优点，因此被越来越广泛地应用。
2、目前oled的全彩技术主要在蒸镀过程中采用fmm高精度金属掩膜板来实现，但由于蓝光材料的效率，亮度和寿命等一直未能有质的突破，以及在全彩oled中红光、绿光的空穴功能(htl)，电子功能层(etl)等首先要受限于蓝光区域的限制。因此不能充分体现出红光、绿光材料的光电性能，从而整体上限制了全彩oled的性能。例如发光效率、亮度、使用寿命等性能较差。这严重限制了全彩oled在车载，it等中大尺寸显示领域的应用，尤其对环境温湿度，光照辐射等要求苛刻的领域，oled尚未实现量产应用。
3、因此，亟需提供一种新的oled器件的制备方法，可提亮度、使用寿命。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种oled器件的制备方法。本专利技术所述制备方法制备的oled器件的亮度高、使用寿命长。且oled器件制备过程中
2、具体的，一种oled器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3、(1)获取第一基底，第一基底包括层叠设置的阳极、第一功能层，且所述阳极靠近所述第一基底，所述第一基底上划分多个像素区域，包括第一像素区、第二像素区、第三像素区；
4、(2)第三像素发光层的制备：
5、在所述第一功能层上形成光刻胶层；
6、对第三像素区的光刻胶层进行曝光形成曝光区；
7、对曝光区进行干法刻蚀，刻蚀掉光刻胶层并露出第三像素区的至少部分所述第一功能层；
8、在所述第一功能层和未曝光的光刻胶层上蒸镀第三像素发光材料形成第三像素发光层；
9、剥离去除未曝光的光刻胶层，制得第三像素发光层；
10、(3)第一像素发光层、第二像素发光层的制备：
11、采用掩模板法在第一像素区蒸镀第一像素发光材料，形成第一像素发光层；
12、采用掩模板法在第二像素区蒸镀第二像素发光材料，形成第二像素发光层；
13、(4)在第一像素发光层、第二像素发光层及第三像素光层上依次形成层叠的第二功能层、阴极、光耦合输出层，制得所述oled器件；
14、所述第三像素发光材料为蓝色发光材料，所述第一像素发光材料、第二像素发光材料分别为红色发光材料、绿色发光材料。
15、优选的，步骤(2)中，所述第三像素发光材料包括f2irpic(双(4,6-二氟苯基吡啶-n,c2)吡啶甲酰合铱)、(f2ppy)2ir(tmd)(cas号:1171009-96-3)、ir(dfppz)3(cas号:391665-84-2)中的至少一种。
16、优选的，步骤(3)中，所述第一像素发光材料包括ptoep(八乙基卟啉铂(ii))、ir(piq)3(三(2-苯基异喹啉)铱)或btp2ir(acac)(双(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶基-n,c3')(乙酰丙酮)合铱中的至少一种。
17、优选的，步骤(3)中，所述第二像素发光材料包括ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合铱)、ir(ppy)2(acac)(双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(iii))、ir(mppy)3(三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)合铱)或c545t(10-(2-苯并噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1h,5h,11h-苯并吡喃[6,7,8-ij]-喹唑啉-11-酮)中的至少一种。
18、优选的，步骤(2)中，所述光刻胶层的厚度为0.4-0.9μm；
19、和/或，步骤(2)中，所述干法刻蚀刻蚀掉光刻胶层，形成刻蚀区，刻蚀的气体为惰性气体，刻蚀速率控制在0.5nm/s-1nm/s；
20、和/或，步骤(2)中，所述第三像素发光层的厚度为20-25nm；
21、和/或，步骤(3)中，所述第一像素发光层的厚度为40-45nm；所述第二像素发光层的厚度为40-45nm。
22、优选的，所述第三像素发光层采用的第一功能层的材料与第一像素发光层、第二像素发光层采用的第一功能层的材料不同，且所述第一像素发光层采用的第一功能层的材料与第二像素发光层采用的第一功能层的材料相同。
23、优选的，所述第一功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；和/或，所述第二功能层包括电子传输层和/或电子注入层。
24、优选的，步骤(4)中，所述第二功能层包括电子传输层和电子注入层，且所述第三像素发光层上叠层设置的电子传输层、电子注入层之间还设置串联的tandem结构，所述串联的tandem结构，依次包括叠层设置的连接层、空穴连接层、蓝发光层、电子传输层；所述tandem结构中的电子传输层与所述电子注入层相邻。
25、优选的，所述tandem结构是通过蒸镀的方式设置的；和/或，所述串联的tandem结构中，所述连接层的厚度为5-10nm；和/或，所述空穴连接层的厚度为5-10nm；和/或，所述蓝发光层的厚度为20-45nm；和/或，所述电子传输层的厚度为30-35nm。
26、优选的，步骤(2)中，刻蚀掉光刻胶层后，第三像素区的第一功能层全部露出，能使第一功能层与其相邻的其他结构层电连接。
27、优选的，步骤(4)中，光耦合输出层上还设置封装层，对整个oled器件起到封装的作用。
28、优选的，所述第一功能层和/或第二功能层可与后述的公共电极(阴极或阳极)同样地是形成为覆盖整个基板的公共层。公共层材料可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法或涂敷法等的方法形成。
29、优选的，针对b部分(第三像素发光层)的第一功能层/第二功能层采用光刻，r、g部分(第一像素发光层、第二像素发光层)的第一功能层/第二功能层采用fmm蒸镀。
30、优选的，一种oled器件的制备方法，包括以下步骤：
31、(1)获取第一基底，所述第一基底上划分多个像素区域，包括第一像素区、第二像素区、第三像素区，在所述第一基底上采用物理气相沉积(pvd)的方法沉积阳极膜层(阳极膜层可简称为阳极)，然后在所述阳极膜层上通过蒸镀的方法沉积空穴注入层和空穴传输层；
32、(2)第三像素发光层的制备：在所述空穴传输层部分区域涂布光刻胶，固化，形成光刻胶层，对第三像素区的光刻胶层进行曝光形成曝光区，对曝光区进行干法刻蚀，刻本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述第三像素发光材料包括双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第一像素发光材料包括八乙基卟啉铂(II)、三(2-苯基异喹啉)铱或双(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶基-N,C3')(乙酰丙酮)合铱中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第二像素发光材料包括三(2-苯基吡啶)合铱、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)、三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)合铱或10-(2-苯并噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H,11H-苯并吡喃[6,7,8-ij]-喹唑啉-11-酮中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述光刻胶层的厚度为0.4-0.9μm；
6.根据权利
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；和/或，所述第二功能层包括电子传输层和/或电子注入层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述第二功能层包括电子传输层和电子注入层，且所述第三像素发光层上叠层设置的电子传输层、电子注入层之间还设置串联的Tandem结构，所述Tandem结构，依次包括叠层设置的连接层、空穴连接层、蓝发光层、电子传输层；所述Tandem结构中的电子传输层与所述电子注入层相邻。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述Tandem结构是通过蒸镀的方式设置；和/或，所述串联的Tandem结构中，所述连接层的厚度为5-10nm；和/或，所述空穴连接层的厚度为5-10nm；和/或，所述蓝发光层的厚度为20-45nm；和/或，所述电子传输层的厚度为30-35nm。
10.一种OLED器件，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种oled器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述第三像素发光材料包括双(4,6-二氟苯基吡啶-n,c2)吡啶甲酰合铱、(f2ppy)2ir(tmd)、ir(dfppz)3中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第一像素发光材料包括八乙基卟啉铂(ii)、三(2-苯基异喹啉)铱或双(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶基-n,c3')(乙酰丙酮)合铱中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述第二像素发光材料包括三(2-苯基吡啶)合铱、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(iii)、三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)合铱或10-(2-苯并噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1h,5h,11h-苯并吡喃[6,7,8-ij]-喹唑啉-11-酮中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述光刻胶层的厚度为0.4-0.9μm；
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三像素发光层采用的第一功能层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴义超，王煦，张悦，李云飞，戴雷，蔡丽菲，
申请(专利权)人：四川阿格瑞新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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