【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件。
技术介绍
1、为提高半导体结构的集成度，可以在同一封装结构内放置一个以上的存储芯片。hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的存储芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个存储芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了存储芯片的密度，并实现了大容量和高位宽。
2、然而，随着堆叠层数的增加，hbm的性能有待提升。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构、半导体结构的制造方法和半导体器件，至少有利于提高半导体结构的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基板，所述基板具有凹槽和供电引脚；存储模块，位于所述凹槽内；所述存储模块包括在第一方向堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述凹槽的底面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，所述多个存储芯片中的至少一者具有...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层远离所述凹槽底面的侧面被所述存储芯片露出，并与所述导电部相连。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层包括相连的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层在所述存储芯片垂直于所述凹槽底面的表面延伸，所述第二布线层位于所述存储芯片远离凹槽底面的表面；所述第二布线层与所述导电部相连；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二布线层在所述第一方向上的宽度小于或等于所述存储芯片在所述第一方向上的宽度。p>
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层远离所述凹槽底面的侧面被所述存储芯片露出，并与所述导电部相连。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述供电布线层包括相连的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层在所述存储芯片垂直于所述凹槽底面的表面延伸，所述第二布线层位于所述存储芯片远离凹槽底面的表面；所述第二布线层与所述导电部相连；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二布线层在所述第一方向上的宽度小于或等于所述存储芯片在所述第一方向上的宽度。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕开敏，庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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