一种高分子聚合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种高分子聚合物，含有下述三个重复单元中的至少一个，并由Ar1、Ar2封端，其中Ar1、Ar2代表R1或R12取代的或未取代的C6

【技术实现步骤摘要】
一种高分子聚合物及其应用


[0001]本专利技术涉及OLED
，涉及一种高分子聚合物，可用于形成有机电致发光元件(OOLED)中，特别是作为电荷注入/传输材料使用。另外，特别涉及使用上述高分子聚合物并利用湿式成膜法形成的具有电荷注入/传输层的有机电致发光元件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)因其自身所具备的自发光、高对比、广色域、大视角、响应速度快，在显示和照明技术应用方面都获得了越来越多的关注。但是OLED因其成本过高、量产难度大而难以满足市场的需求，究其原因，技术层面上的制作工艺还需要继续加强和改进。
[0003]OLED显示工艺技术主要有两种，一种是目前较为成熟的蒸镀工艺，另一种是喷墨打印工艺，两种工艺在设备、材料、工艺方面都有很大的差异。蒸镀工艺将小分子OLED发光材料，用真空蒸镀制膜，但耗时费力，材料利用率低，成本高昂。喷墨打印工艺是使用溶剂将OLED材料溶解成均匀溶液，然后将溶液直接喷印在基板表面形成RGB有机发光层，材料利用率高，成本低廉。喷墨打印凭借其独有的技术特点和制作优势，正逐渐成为OLED面板的主流制作工艺，将改变整个显示行业的生产模式。
[0004]相比真空蒸镀法形成的元件，湿式成膜法由于难以层叠化，驱动稳定性差。因此，为了进行利用湿式成膜法的层叠化，进行了具有交联性基团的电荷传输性聚合物开发。WO2009123269A1与WO2013191088A1中公开了含有具有特定重复单元的聚合物、通过湿式成膜法进行层叠化而得的有机电致发光元件。US8974917B2中记载了在具有三芳基胺重复单元的聚合物中，优选在主链包含芴环，此外，记载了通过在聚合物主链包含具有取代基的亚苯基而产生扭曲，使聚合物的三重态能量增加。TW201204687A中公开了在芳胺聚合物或低聚物的主链胺的氮原子间连接有具有取代基的亚苯基的化合物。WO2011099531A1和CN102791768B中公开了在具有芳胺结构的聚合物的侧链上具有咔唑结构。CN1882632B公开了一种包含芴重复单元的聚合物，所述芴重复单元取代有可交联基团，包括双键、三键、能够原位形成双键的前体、或杂环可加成聚合的基团。公开了苯并环丁烷(BCB)作为示例性的可交联基团。WO2010013723A1公开了包含双键基团和BCB基团的聚合物。WO2012003485A2和WO2012003482A2公开了通过使取代有苯并环丁院的空穴传输化合物反应形成的空穴传输层。CN101981086A与WO2013191088A1，作为聚合物的交联基团，提出了苯并环丁烯、苯乙烯交联基团。然而，苯并环丁烯交联基团由于交联时的副反应而阻碍电荷迁移。
[0005]然而，使用聚合物制造的发光元件存在驱动电压高的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供对驱动电压低的发光元件的制造有用的一种高分子聚合物。
[0007]本专利技术的目的还在于提供含有该一种高分子聚合物的发光元件。
[0008]从有机电致发光元件的低电压化与高效率的观点考虑，优选本专利技术的有机电致发光元件用高分子聚合物含有电子接受性基团。从有机电致发光元件的低电压化的观点考虑，优选本专利技术的有机场致发光元件用高分子聚合物进一步含有芴、芳胺、咔唑化合物。
[0009]高分子聚合物，含有下述三个重复单元中至少一个，并由Ar1、Ar2封端，
[0010][0011]其中，Ar1、Ar2独立的表示为R1或R12取代的或未取代的C6
‑
C36的芳基、或R1或R12取代或未取代的C5
‑
C36杂芳基；
[0012]R1
‑
R12各自独立地表示氢、取代或未取代的C6
‑
C36的芳基、取代或未取代的C5
‑
C36杂芳基、取代或未取代的C1
‑
C24烷基、取代或未取代的C2
‑
C24烯基、取代或未取代的C3
‑
C24环烯基、取代或未取代的C6
‑
C36芳氧基、取代或未取代的C5
‑
C36杂芳氧基、取代或未取代的C2
‑
C24烷氧基羰基、取代或未取代的二
‑
C1
‑
C24烷基氨基、取代或未取代的二
‑
C6
‑
C36芳基氨基、取代或未取代的C6
‑
C36芳基
‑
C1
‑
C24烷基氨基、取代或未取代的C2
‑
C24烷酰基、取代或未取代的C8
‑
C36的芳基并环烷基，取代或未取代的C3
‑
C24环氧基；其中R1
‑
R12中至少有一个为交联性基团；
[0013]其中所述取代为被卤素、C1
‑
C8烷基所取代、C3
‑
C8环氧基、C1
‑
C8烷氧基、C2
‑
C8烯基、C6
‑
C10芳基或者C4
‑
C10环烯烷基所取代；
[0014]式中，m、n、p表示各重复单元个数，m≥0、n≥0、p≥0，且m、n不同时为零，重均分子量Mw＝10000
‑
1000000，分散度PDI＝1.0
‑
3.0。
[0015]优选结构：具有由下述式(I)结构，
[0016][0017]优选：R1
‑
R12各自独立地表示为氢、取代或未取代的C6
‑
C24的芳基、取代或未取代的C5
‑
C24杂芳基、取代或未取代的C1
‑
C12烷基、取代或未取代的C2
‑
C12烯基、取代或未取代
的C3
‑
C12环烯基、取代或未取代的C6
‑
C24芳氧基、取代或未取代的C5
‑
C24杂芳氧基、取代或未取代的C2
‑
C12烷氧基羰基、取代或未取代的二
‑
C1
‑
C12烷基氨基、取代或未取代的二
‑
C6
‑
C24芳基氨基、取代或未取代的C6
‑
C24芳基
‑
C1
‑
C12烷基氨基、取代或未取代的C2
‑
C12烷酰基、取代或未取代的C8
‑
C24的芳基并环烷基，取代或未取代的C3
‑
C12环氧基，
[0018]其中所述取代为被卤素、C1
‑
C6烷基所取代、C3
‑
C6环氧基、C1
‑
C6烷氧基、C2
‑
C6烯基、C6
‑
C10芳基或者C4
‑
C10环烯烷基所取代；m大于0、n≥0、p≥0；
[0019]重均分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高分子聚合物，含有下述三个重复单元中的至少一个，并由Ar1、Ar2封端，其中，Ar1、Ar2独立的表示为R1或R12取代的或未取代的C6
‑
C36的芳基、或R1或R12取代或未取代的C5
‑
C36杂芳基；R1
‑
R12各自独立地表示氢、取代或未取代的C6
‑
C36的芳基、取代或未取代的C5
‑
C36杂芳基、取代或未取代的C1
‑
C24烷基、取代或未取代的C2
‑
C24烯基、取代或未取代的C3
‑
C24环烯基、取代或未取代的C6
‑
C36芳氧基、取代或未取代的C5
‑
C36杂芳氧基、取代或未取代的C2
‑
C24烷氧基羰基、取代或未取代的二
‑
C1
‑
C24烷基氨基、取代或未取代的二
‑
C6
‑
C36芳基氨基、取代或未取代的C6
‑
C36芳基
‑
C1
‑
C24烷基氨基、取代或未取代的C2
‑
C24烷酰基、取代或未取代的C8
‑
C36的芳基并环烷基，取代或未取代的C3
‑
C24环氧基；其中R1
‑
R12中至少有一个为交联性基团；其中所述取代为被卤素、C1
‑
C8烷基所取代、C3
‑
C8环氧基、C1
‑
C8烷氧基、C2
‑
C8烯基、C6
‑
C10芳基或者C4
‑
C10环烯烷基所取代；式中，m、n、p表示各重复单元个数，m≥0、n≥0、p≥0；且m、n不同时为零；重均分子量Mw＝10000
‑
1000000，分散度PDI＝1.0
‑
3.0。2.根据权利要求1所述的高分子聚合物，具有下述式(I)所述结构，具有下述式(I)所述结构，其中R1
‑
R12各自独立地表示为氢、取代或未取代的C6
‑
C24的芳基、取代或未取代的C5
‑
C24杂芳基、取代或未取代的C1
‑
C12烷基、取代或未取代的C2
‑
C12烯基、取代或未取代的C3
‑
C12环烯基、取代或未取代的C6
‑
C24芳氧基、取代或未取代的C5
‑
C24杂芳氧基、取代或未取代的C2
‑
C12烷氧基羰基、取代或未取代的二
‑
C1
‑
C12烷基氨基、取代或未取代的二
‑
C6
‑
C24芳基氨基、取代或未取代的C6
‑
C24芳基
‑
C1
‑
C12烷基氨基、取代或未取代的C2
‑
C12烷酰基、
取代或未取代的C8
‑
C24的芳基并环烷基，取代或未取代的C3
‑
C12环氧基，Mw为20000
‑
800000，其中所述取代为被卤素、C1
‑
C6烷基所取代、C3
‑
C6环氧基、C1
‑
C6烷氧基、C2
‑
C6烯基、C6
‑
C10芳基或者C4
‑
C10环烯烷基所取代。3.根据权利要求2所述的高分子聚合物，其中R1、R4、R7、R10
‑
R12各自独立地表示为氢、取代或未取代的C6
‑
C12的芳基、取代或未取代的C5
‑
C12杂芳基、取代或未取代的C1
‑
C6烷基、取代或未取代的C2
‑
C6烯基、取代或未取代的C3
‑
C6环烯基、取代或未...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖金龙，姜逸飞，戴雷，蔡丽菲，
申请(专利权)人：四川阿格瑞新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：