【技术实现步骤摘要】
一种芯片加工用蒸镀设备
本专利技术涉及蒸镀设备
，具体为一种芯片加工用蒸镀设备。
技术介绍
在加工芯片时，为了将金属均匀的镀在晶片表面，因此需要使用到蒸镀设备。现有的蒸镀设备的金属蒸汽上升通道过于单一，使得金属蒸汽通过该通道聚集在晶片中心，继而导致晶片中心的蒸镀厚度大于晶片四周的蒸镀厚度，影响蒸镀的均匀性，现有的蒸镀设备在完成一次蒸镀后，通常需要完全打开蒸镀箱，而频繁的抽真空耗费了大量时间，导致该蒸镀设备的加工效率不高，并且现有的晶片高度固定，无法根据金属种类调整最佳的蒸镀高度，进一步降低使用效果，针对上述问题，需要对现有设备进行改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片加工用蒸镀设备，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的蒸镀设备的金属蒸汽上升通道过于单一，使得金属蒸汽通过该通道聚集在晶片中心，影响蒸镀的均匀性，现有的蒸镀设备在完成一次蒸镀后，通常需要完全打开蒸镀箱，而频繁的抽真空耗费了大量时间，导致该蒸镀设备的加工效率不高的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：...
【技术保护点】
1.一种芯片加工用蒸镀设备，包括真空室(1)、第一中转室(12)、密封法兰(21)和凹槽(25)，其特征在于：/n真空室(1)，所述真空室(1)底部固定有隔热垫(2)，且隔热垫(2)顶部固定有石墨坩埚(3)，所述石墨坩埚(3)外侧安装有电磁感应加热器(4)，且石墨坩埚(3)内侧放置有石英坩埚(5)，所述石英坩埚(5)顶部与石墨坩埚(3)顶部放置有坩埚盖(6)，且坩埚盖(6)表面开设有多个导气孔(7)，所述坩埚盖(6)后侧开设有进料孔(8)，所述真空室(1)后侧固定安装有料仓(9)，且料仓(9)下侧贯穿有绞龙输送机(10)，所述料仓(9)下端前侧固定连通有石英导料管(11)，...
【技术特征摘要】
1.一种芯片加工用蒸镀设备，包括真空室(1)、第一中转室(12)、密封法兰(21)和凹槽(25)，其特征在于：
真空室(1)，所述真空室(1)底部固定有隔热垫(2)，且隔热垫(2)顶部固定有石墨坩埚(3)，所述石墨坩埚(3)外侧安装有电磁感应加热器(4)，且石墨坩埚(3)内侧放置有石英坩埚(5)，所述石英坩埚(5)顶部与石墨坩埚(3)顶部放置有坩埚盖(6)，且坩埚盖(6)表面开设有多个导气孔(7)，所述坩埚盖(6)后侧开设有进料孔(8)，所述真空室(1)后侧固定安装有料仓(9)，且料仓(9)下侧贯穿有绞龙输送机(10)，所述料仓(9)下端前侧固定连通有石英导料管(11)，且石英导料管(11)前端插接在进料孔(8)内部；
第一中转室(12)，所述第一中转室(12)固定在真空室(1)左侧，且真空室(1)右侧固定有第二中转室(13)，所述第一中转室(12)与真空室(1)连通处以及第二中转室(13)与真空室(1)连通处均开设有滑槽(14)，所述真空室(1)内部设置有第一滑台(15)，所述第二中转室(13)内部设置有第二滑台(16)，所述真空室(1)前侧固定有真空泵(17)，且真空泵(17)通过多个气管(18)分别与真空室(1)、第一中转室(12)以及第二中转室(13)相连通，同时多个气管(18)内部均安装有电磁阀(19)，所述第一中转室(12)底部与第二中转室(13)底部均安装有密封门(20)；
密封法兰(21)，所述密封法兰(21)固定在第一滑台(15)左右两侧以及第二滑台(16)左右两侧，且第一滑台(15)右端与第二滑台(16)左端固定连接，所述密封法兰(21)内部均安装有电磁铁(22)，所述第一中转室(12)左侧以及第二中转室(13)右侧均固定有多级液压驱动装置(23)，所述第一滑台(15)左侧以及第二滑台(16)右侧均开设有收纳槽(24)，且收纳槽(24)靠近真空室(1)的一端与多级液压驱动装置(23)相连通；
凹槽(25)，所述凹槽(25)开设在第一滑台(15)底部与第二滑台(16)底部，且凹槽(25)上侧滑动连接有滑板(26)，所述滑板(26)顶部固定安装有驱动电机(27)，且驱动电机(27)贯穿滑板(26)与晶片座(28)相连接，所述晶片座(28)悬空在滑板(26)下方，且晶片座(28)底部螺纹连接有螺栓(29)，所述螺栓(29)贯穿压板(30)并与其转动连接，且压板(30)上表面与...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。