【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置于2019年6月13日在韩国知识产权局提交的名称为“半导体存储器装置和用于制造半导体存储器装置的方法”的第10-2019-0069847号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种半导体存储器装置和用于制造该半导体存储器装置的方法。
技术介绍
为了满足消费者所需的优异性能和低成本，非易失性存储器装置的集成度一直在提高。然而，在二维或平面存储器装置的情况下，由于它们的集成密度由被单位存储器单元占据的面积确定，所以集成密度的增大已经变得越来越困难。因此，近年来，已经开发了其中单位存储器单元竖直地布置的三维存储器装置，以在不增大占用面积的情况下增大集成密度。
技术实现思路
实施例涉及一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：/n第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；/n栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及/n第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。/n
【技术特征摘要】
20190613 KR 10-2019-00698471.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；
栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及
第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第二绝缘图案的至少一部分形成在栅电极内。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中：
栅电极包括面对第一侧的第二侧，
栅电极包括栅电极与第二绝缘图案在其处交汇的第六侧，并且
栅电极的从第二侧到第一侧限定的第六宽度比栅电极的从第二侧到第六侧限定的第九宽度长。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中：
第三绝缘图案在第二方向上具有第三宽度，
第一绝缘图案在第二方向上具有第一宽度，
第二绝缘图案具有从第六侧到第二绝缘图案与阻挡绝缘膜在其处交汇的第五侧限定的第十宽度，并且
在第二方向上，栅电极的第九宽度与第二绝缘图案的第十宽度之和比第三宽度小并且比第一宽度小。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：
第三绝缘图案在第二方向上具有第三宽度，
第一绝缘图案在第二方向上具有第一宽度，并且
在第二方向上，栅电极的第六宽度比第三宽度小并且比第一宽度小。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，第三绝缘图案的第三宽度与第一绝缘图案的第一宽度相同。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括阻挡绝缘膜，阻挡绝缘膜沿着第二绝缘图案延伸，阻挡绝缘膜位于第三绝缘图案、第一绝缘图案和栅电极上；
其中，阻挡绝缘膜包括在第一方向上彼此间隔开的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，第二绝缘图案在第一方向上位于第一电荷存储膜与第二电荷存储膜之间。
9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，从第一侧到第一电荷存储膜限定的第四宽度和从第一侧到第二电荷存储膜限定的第五宽度比第二宽度短。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，第一电荷存储膜的在第二方向上的第七宽度与第二电荷存储膜的在第二方向上的第八宽度相同。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，第四宽度与第一电荷存储膜的在第二方向上的第七宽度之和比第二宽度长。
12.一种半导体存储器装置，所述半导体存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜周宪，金泰勋，沈在龙，郑光泳，郑基容，韩智勋，黄斗熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。