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提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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