光学元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种容易制作且所用基片的选择性强、对基片进行接合的结构的光学元件的制造方法，其中，在波导基片和基体基片的至少一边的主面上形成作为非接合区域的凹部，以把上述非接合区域夹持在上述波导基片和上述基体基片之间的方式，对上述波导基片与基体基片们进行接合。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在接合基片上形成的。
技术介绍
把2块基片接合起来形成的光学元件，对一块基片进行薄片化后进行脊形加工，即可形成脊形光波导。在对该基片进行接合的情况下，不使用粘接剂等使基片之间牢固接合的技术，已知的是直接接合技术。利用直接接合，能对玻璃、半导体、强电介质、压电陶瓷等各种材料进行高精度的接合，有希望应用于光学元件。作为电介质基片、半导体基片、玻璃基片等直接接合基片中的光学元件的一例提出了光波导型元件。例如在(日本)专利第2574594号公报和特开平06-222229号公报中，公开了使强电介质结晶基片铌酸锂和钽酸锂与同种类基片或玻璃基片进行直接接合而形成光波导的方法。并且，在二块基片之间通过薄膜使其接合而形成的光学元件，也已提出了几种方案。用2块基片，一块作为波导层的光学元件，成为波导层的基片，折射率不高不行。因此，在基片间布置折射率比波导层低的薄膜，能不受基片波导率的影响，对光进行波导。例如，在上述(日本)专利第2574594号公报和特开平06-222229号公报中，说明采用SiO2和SiN作为薄膜材料。并且，在(日本)专利第2574606号公报中，说明采用低熔点玻璃作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学元件的制造方法，其特征在于：在波导基片和基体基片的至少一个基片的主面上形成作为非接合区域的凹部，以把上述非接合区域夹持在上述波导基片和上述基体基片之间的方式，对上述波导基片与基体基片进行接合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉田知也，水内公典，山本和久，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]