半导体封装件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及封装技术领域，提供一种半导体封装件及其制作方法。所述半导体封装件的制作方法包括：提供一电路基板，所述电路基板的第一表面贴装有多个第一电子元器件，多个所述第一电子元器件具有高度下沉的第一区域；形成堆栈于所述第一区域的导电中介层和至少包围各所述第一电子元器件的塑封层，使所述导电中介层相对于所述塑封层高度下沉；以及，于所述导电中介层上堆栈第二电子元器件。本发明专利技术利用一块电路基板，通过将导电中介层堆栈于较矮的电子元器件上方，并借由导电中介层再次堆栈电子元器件的方式，不仅有效利用空间，实现微型化封装，同时保证线路稳定，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制作方法
本专利技术涉及封装
，具体地说，涉及一种半导体封装件及其制作方法。
技术介绍
现行电子产品对微型化的需求越来越高，导致电子产品内电子元件和线路的分布密度大幅提升。为减小电子产品的封装尺寸，目前通常采用塑封通孔(ThroughMoldingVia，简称TMV)技术进行封装。TMV技术是指在塑封层形成过孔，并填充导电物质实现封装。然而，现有的TMV技术仍然难以满足现行电子产品对微型化的需求。具体来说，现有的TMV技术主要采用堆叠装配(PackageOnPackage，简称POP)结构或重新布线(RedistributionLayer，简称RDL)结构进行封装。图1示意出堆叠装配结构100，堆叠装配结构100的封装过程包括：在下基板110上通过回流焊的方式组装第一电子元件120，之后形成塑封层130，并在塑封层130中形成过孔；在上基板140上通过回流焊的方式组装第二电子元件150，之后形成塑封层160；接着，再次通过回流焊的方式在过孔中填充导电物质170，并封装屏蔽层180最终实现堆叠装配。上述POP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件的制作方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一电路基板，所述电路基板的第一表面贴装有多个第一电子元器件，多个所述第一电子元器件具有高度下沉的第一区域；/n形成堆栈于所述第一区域的导电中介层和至少包围各所述第一电子元器件的塑封层，使所述导电中介层相对于所述塑封层高度下沉；以及/n于所述导电中介层上堆栈第二电子元器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供一电路基板，所述电路基板的第一表面贴装有多个第一电子元器件，多个所述第一电子元器件具有高度下沉的第一区域；
形成堆栈于所述第一区域的导电中介层和至少包围各所述第一电子元器件的塑封层，使所述导电中介层相对于所述塑封层高度下沉；以及
于所述导电中介层上堆栈第二电子元器件。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成堆栈于所述第一区域的导电中介层和至少包围各所述第一电子元器件的塑封层的步骤包括：
在所述第一区域的上方空间堆栈所述导电中介层，使所述导电中介层与所述电路基板电连接并与各所述第一电子元器件间隔绝缘；以及
对所述电路基板的第一表面进行局部塑封，形成包围各所述第一电子元器件且暴露所述导电中介层的所述塑封层。


3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一区域的上方空间堆栈所述导电中介层的步骤包括：
在所述第一区域形成导电支柱，使所述导电支柱与各所述第一电子元器件间隔绝缘，且所述导电支柱高于所述第一区域内的第一电子元器件；以及
在所述第一区域形成所述导电中介层，使所述导电支柱支承所述导电中介层，并电连接所述导电中介层和所述电路基板。


4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对所述电路基板的第一表面进行局部塑封的步骤中，采用薄膜塑封工艺形成所述塑封层，且所述塑封层还填充所述导电中介层与所述电路基板之间的间隙。


5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成堆栈于所述第一区域的导电中介层和至少包围各所述第一电子元器件的塑封层的步骤包括：
对所述电路基板的第一表面进行整体塑封，形成均匀覆盖各所述第一电子元器件的所述塑封层；
在所述第一区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘家政，
申请(专利权)人：环维电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31