System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构技术_技高网

一种半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构技术

技术编号:40118940 阅读:5 留言:0更新日期:2024-01-23 20:21
本发明专利技术提供了一种半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构,该方法包括:准备一基板,所述基板具有一组装平面和至少一接地垫;安装半导体器件于所述组装平面上;安装至少一金属件于所述组装平面上,所述金属件与所述接地垫电性连接;形成一塑封体,所述塑封体包覆所述半导体器件和所述金属件;形成一电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封体和所述基板的侧面;使所述金属件的表面露出;通过焊接技术将接地体贴装于金属件的表面。本发明专利技术可以使半导体封装结构中接地体与基板的接地垫的连接强度高,耐腐蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装,具体为一种半导体封装结构的制造方法和半导体封装结构。


技术介绍

1、接地的主要作用是保护电路的安全和稳定,抑制电磁干扰。为了提高电子元器件的性能及可靠性,接地设计被广泛应用于半导体制造过程中。

2、在穿戴式设备的系统级封装中,一种常用的接地方法是将金属弹簧/金属片/金属线等接地体通过铜箔胶带粘在电磁屏蔽层表面,再通过电磁屏蔽层与基板接地层完整连接。但这种接地连接方式不牢固,易被腐蚀。


技术实现思路

1、本专利技术的目的之一是提供一种半导体封装结构的制造方法和半导体封装结构,用于解决当前半导体封装结构中接地体与基板接地层连接方式不牢固的问题。

2、本专利技术提供的技术方案如下:

3、一种半导体封装结构的制造方法,包括:

4、准备一基板,所述基板具有一组装平面和至少一接地垫;

5、安装半导体器件于所述组装平面上;

6、安装至少一金属件于所述组装平面上,所述金属件与所述接地垫电性连接;

7、形成一塑封体,所述塑封体包覆所述半导体器件和所述金属件;

8、形成一电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封体和所述基板的侧面;

9、使所述金属件的表面露出;

10、通过焊接技术将接地体贴装于所述金属件的表面。

11、在一些实施例中,在所述金属件上方开槽,去除所述金属件上方的塑封层和电磁屏蔽层,使所述金属件的表面露出。

12、在一些实施例中,在形成所述塑封体之后、所述电磁屏蔽层之前,还包括:在所述金属件上方开槽,去除所述金属件上方的塑封层,使所述金属件的表面露出;

13、形成一电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封体、所述金属件的表面和所述基板的侧面;

14、去除覆盖所述金属件表面的电磁屏蔽层,使所述金属件的表面露出。

15、在一些实施例中,所述金属件为用于电磁屏蔽的屏蔽器件。

16、在一些实施例中,通过溅射或喷射或电镀或涂敷形成所述电磁屏蔽层。

17、在一些实施例中,通过镭射或蚀刻或钻孔去除塑封层和/或电磁屏蔽层。

18、本专利技术还提供一种半导体封装结构的制造方法,包括:

19、准备一基板,所述基板具有一组装平面和至少一接地垫;

20、安装多个半导体器件于所述组装平面上;

21、形成一塑封体,所述塑封体包覆所述半导体器件;

22、对所述半导体器件之间的塑封体进行开槽;

23、利用导电材料填充所述槽部,形成导通结构;

24、形成一电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封体、所述导通结构表面和所述基板的侧面;

25、使所述导通结构的导电材料露出;

26、通过焊接技术将接地体贴装于所述导电材料的表面。

27、在一些实施例中,在所述导通结构上方开槽,去除所述导通结构表面的电磁屏蔽层,使所述导通结构的导电材料露出。

28、本专利技术还提供一种半导体封装结构,包括:

29、基板,具有一组装平面和至少一接地垫;

30、半导体器件,安装于所述组装平面上;

31、金属件,安装于所述组装平面上,所述金属件与所述接地垫电性连接;

32、塑封体,用于包覆所述半导体器件和所述金属件除表面的部位;

33、电磁屏蔽层,用于覆盖所述塑封体和所述基板的侧面;

34、接地体,通过焊接技术贴装于所述金属件的表面。

35、本专利技术还提供一种半导体封装结构,包括:

36、基板,具有一组装平面和至少一接地垫;

37、多个半导体器件,安装于所述组装平面上;

38、塑封体,用于包覆所述半导体器件;

39、导通结构,填充了导电材料,位于所述半导体器件之间,与所述接地垫电性连接;

40、电磁屏蔽层,用于覆盖所述塑封体和所述基板的侧面;

41、接地体,通过焊接技术贴装于所述导电材料的表面。

42、通过本专利技术提供的一种半导体封装结构的制造方法及半导体封装结构,至少能够带来以下有益效果:通过焊接方式将半导体封装结构中接地体与金属件或导通结构的导电材料相连,增强了接地体与基板的接地垫之间的连接强度,提高了连接的耐腐蚀性。

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【技术保护点】

1.一种半导体封装结构的制造方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

7.一种半导体封装结构的制造方法,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,在所述导通结构上方开槽,去除所述导电材料表面的电磁屏蔽层,使所述导电材料露出。

9.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

10.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构的制造方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其特征在于,

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:李瑶李文文王林
申请(专利权)人:环维电子上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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