半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种谋求寄生电感的降低化的半导体装置。本发明专利技术的半导体装置(1)包含：半导体芯片(2)，具有正面(2a)及背面(2b)且在正面(2a)具有源极垫(11)、漏极垫(12)及栅极垫(13)；晶粒垫(3)，配置在半导体芯片(2)的下方，且接合着半导体芯片(2)的背面(2b)；源极引线(4)，电连接于晶粒垫(3)；漏极引线(5)及栅极引线(6)，配置在晶粒垫(3)的周围；以及密封树脂(8)，将半导体芯片(2)、晶粒垫(3)及各引线(4、5、6)密封。在半导体芯片(2)，形成着在俯视时配置在半导体芯片(2)的周缘部且连接于源极垫(11)的至少1个外部连接用通孔(60)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置，例如涉及一种具备包含III族氮化物半导体(以下有时简称为“氮化物半导体”)的氮化物半导体芯片的半导体装置。
技术介绍
所谓III族氮化物半导体，是指在III-V族半导体中使用氮作为V族元素的半导体。氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)为代表例。一般而言，可表示为AlxInyGa1-x-yN(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1)。提出有使用这种氮化物半导体的HEMT(HighElectronMobilityTransistor；高电子迁移率晶体管)。这种HEMT例如包含：电子移行层，含有GaN；及电子供给层，外延生长在该电子移行层上且含有AlGaN。以与电子供给层相接的方式形成一对源极电极及漏极电极，在它们之间配置栅极电极。由于GaN与AlGaN的晶格失配所引起的极化，而在电子移行层内，在距电子移行层与电子供给层的界面向内侧仅数的位置，形成二维电子气(twodimensionalelectrongas)。以该二维电子气作为通道，源极、漏极间连接。如果通过对栅极电极施加控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包含：/n半导体芯片，具有正面及背面且在所述正面具有源极垫、漏极垫及栅极垫；/n晶粒垫，配置在所述半导体芯片的下方，且接合着所述半导体芯片的背面；/n源极引线，电连接于所述晶粒垫；/n漏极引线及栅极引线，配置在所述晶粒垫的周围；以及/n密封树脂，将所述半导体芯片、所述晶粒垫及所述各引线密封；/n在所述半导体芯片，形成着在俯视时配置在所述半导体芯片的周缘部且连接于所述源极垫的至少1个外部连接用通孔。/n

【技术特征摘要】
20190611 JP 2019-1087941.一种半导体装置，包含：
半导体芯片，具有正面及背面且在所述正面具有源极垫、漏极垫及栅极垫；
晶粒垫，配置在所述半导体芯片的下方，且接合着所述半导体芯片的背面；
源极引线，电连接于所述晶粒垫；
漏极引线及栅极引线，配置在所述晶粒垫的周围；以及
密封树脂，将所述半导体芯片、所述晶粒垫及所述各引线密封；
在所述半导体芯片，形成着在俯视时配置在所述半导体芯片的周缘部且连接于所述源极垫的至少1个外部连接用通孔。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体芯片在背面侧包含衬底，
所述外部连接用通孔电连接于所述衬底。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述外部连接用通孔包含形成在所述半导体芯片的导孔、及形成在所述导孔内的导电膜。


4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中所述晶粒垫与所述源极引线一体地形成。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中所述漏极垫与所述漏极引线经由第1金属连接部件而连接，
所述栅极垫与所述栅极引线经由第2金属连接部件而连接。


6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其中所述半导体芯片包含：
所述衬底；
第1氮化物半导体层，形成在所述衬底上，构成电子移行层；
第2氮化物半导体层，形成在所述第1氮化物半导体层上，构成电子供给层；
隆脊形状的栅极部，形成在所述第2氮化物半导体层上；以及
源极电极及漏极电极，在所述第2氮化物半导体层上隔着所述栅极部对向配置；
所述栅极部包含配置在所述第2氮化物半导体层上且包含受体型杂质的氮化物半导体栅极层、及配置在所述氮化物半导体栅极层上的栅极电极，
所述源极电极电连接于所述源极垫，
所述漏极电极电连接于所述漏极垫，
所述栅极电极电连接于所述栅极垫。


7.根据权利要求2至6中任一项所述的半导体装置，其中在俯视时，所述外部连接用通孔与所述源极引线的距离比所述外部连接用通孔与所述漏极引线的距离更短...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岳浩隆，近松健太郎，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP