一种多芯片超薄扇出型封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片超薄扇出型封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其再布线金属线路层（3）的上表面设置上层金属焊盘（31）、下表面设置底层金属焊盘（33），芯片（8）通过金属微凸块（73）与再布线金属线路层（3）的上层金属焊盘（31）固连，底填胶（83）填充同一封装体的芯片（8）的底部和芯片间隙，所述塑封料（86）于再布线金属层（3）上方塑封芯片（8），并露出芯片（8）的背面；所述加强散热保护层（63）通过导热粘合层（61）设置在芯片（8）的背面。本发明专利技术的封装方法通过圆片级工艺成形，实现了减薄产品厚度、提高了产品可靠性并实现了多芯片封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片超薄扇出型封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种多芯片超薄扇出型封装结构及其封装方法，属于半导体封装

技术介绍
伴随电子产业发展，藉由芯片内晶体管特征尺寸的缩小，芯片内晶体管数量呈几何级增长的背景下，高性能芯片越来越向高I/O数发展，传统的倒装芯片封装方案中，I/O连接端子散布在芯片表面面积之内，从而限制了I/O连接数目。扇出型封装通过再布线技术，将I/O从芯片内引到芯片外，将高密度的I/O扇出为低密度的封装引脚，解决了封装芯片与印刷线路板能够形成互连的问题，同时封装厚度可以大幅降低，有利于集成在空间日益紧张的移动终端等应用场景中，因其高集成度与互联性能好等优点，因此正在迅速成为超薄多芯片封装的选择。扇出型封装通常将裸芯片的背面先嵌入在环氧树脂中，然后在裸芯片的正面形成介电层和重布线层，并在裸芯片正面的焊盘与重布线层之间形成电连接，重布线层可重新规划从裸芯片上的I/O连接到外围环氧树脂区域的路线，再在重布线层的焊盘上形成焊球突起结构，由此形成扇出型封装结构。该方法存在着一定的缺陷，因注塑封装材料收缩引起的滑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，其包括若干个芯片（8）、再布线金属线路层（3）、加强散热保护层（63）、底填胶（83）和塑封料（86），所述再布线金属线路层（3）的上表面设置上层金属焊盘（31）、下表面设置底层金属焊盘（33），所述芯片（8）的芯片焊盘（75）带有金属微凸块（73），所述芯片（8）通过金属微凸块（73）、焊锡料（71）与再布线金属线路层（3）的上层金属焊盘（31）固连，/n所述底填胶（83）填充芯片（8）的底部和芯片间隙，所述塑封料（86）于再布线金属层（3）上方塑封芯片（8），并露出芯片8的背面；/n所述加强散热保护层（63）通过导热粘合层（61）设置在芯片（8...

【技术特征摘要】
1.一种多芯片超薄扇出型封装结构，其特征在于，其包括若干个芯片（8）、再布线金属线路层（3）、加强散热保护层（63）、底填胶（83）和塑封料（86），所述再布线金属线路层（3）的上表面设置上层金属焊盘（31）、下表面设置底层金属焊盘（33），所述芯片（8）的芯片焊盘（75）带有金属微凸块（73），所述芯片（8）通过金属微凸块（73）、焊锡料（71）与再布线金属线路层（3）的上层金属焊盘（31）固连，
所述底填胶（83）填充芯片（8）的底部和芯片间隙，所述塑封料（86）于再布线金属层（3）上方塑封芯片（8），并露出芯片8的背面；
所述加强散热保护层（63）通过导热粘合层（61）设置在芯片（8）的背面，所述加强散热保护层（63）为硅片、玻璃片或金属片中的一种或几种组合；
所述再布线金属线路层（3）的底层金属焊盘（33）设置金属连接件（91）。


2.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述金属微凸块（73）的顶端还包括镍层和金层，所述金层覆盖镍层之上。


3.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述再布线金属线路层3的上层金属焊盘（31）的顶端还包括铜层和镍层，所述镍层覆盖铜层之上。


4.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述金属连接件（91）为铜柱、金属扩散层、锡球的一种或几种的组合。


5.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述金属片为金属硒散热片或金属薄铜片。


6.一种多芯片超薄扇出型封装结构的封装方法，其工艺包括步骤：
步骤一，取一片载板（L1），其上表面涂敷复合分离层（L2）；
步骤二，在复合分离层（L2）上方通过多次光刻、电镀工艺与绝缘披覆形成再布线金属线路层（3）及其底层金属焊盘（33），该再布线金属线路层（3）包括多层金属层以及带指定开口位置的绝缘层，形成互联线路；再在再...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡正勋，梁新夫，郭洪岩，刘爽，夏剑，张朝云，徐东平，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33