【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
在传统的扇出型封装技术中，芯片塑封于塑封材料层内；但由于塑封材料层与基底及重新布线层之间的热膨胀系数(CTE)不同，在形成塑封材料层后会导致封装结构发生翘曲，容易导致封装结构碎裂，从而影响封装结构的性能。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中存在的封装结构在形成塑封材料层后发生翘曲，容易导致封装结构碎裂，从而影响封装结构的性能的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：基底；牺牲层，位于所述基底的上表面；重新布线层，位于所述牺牲层的上表面；芯片，倒装合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第一电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第一塑封层，位于所述重新布线层的上表...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：/n基底；/n牺牲层，位于所述基底的上表面；/n重新布线层，位于所述牺牲层的上表面；/n芯片，倒装合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n第一电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n第一塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述第一电连接结构塑封；/n第二电连接结构，位于所述第一塑封层上，且与所述第一电连接结构电连接；/n第二塑封层，位于所述第一塑封层上，且将所述第二电连接结构塑封；/n顶层金属线层，位于所述第二塑封层上，且与所述第二电连接结构电连接；/n...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
基底；
牺牲层，位于所述基底的上表面；
重新布线层，位于所述牺牲层的上表面；
芯片，倒装合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
第一电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
第一塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述第一电连接结构塑封；
第二电连接结构，位于所述第一塑封层上，且与所述第一电连接结构电连接；
第二塑封层，位于所述第一塑封层上，且将所述第二电连接结构塑封；
顶层金属线层，位于所述第二塑封层上，且与所述第二电连接结构电连接；
翘曲调整层，位于所述基底的下表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：
布线介电层，位于所述牺牲层的上表面；
金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层还包括：
种子层，位于所述布线介电层内，且与所述金属叠层结构电连接；
塑封材料层，位于所述布线介电层内，且位于所述种子层的下表面；
底层介电层，位于所述布线介电层的下表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括：
层间介电层，位于所述第一塑封层与所述第二塑封层之间；
再布线金属层，位于所述层间介电层内，且与所述第一电连接结构及所述第二电连接结构电连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述翘曲调整层包括有机材料层。
6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：
提供基底，于所述基底的上表面形成牺牲层；
于所述牺牲层的上表面形成重新布线层；
提供芯片，将所述芯片倒装键合于所述重新布线层的上表面，所述芯片与所述重新布线层实现电性连接；
于所述重新布线层的上表面形成第一电连接结构及第一塑封层；所述第一电连接结构位于所述第一塑封层内，所述第一电连接结构与所述重新布线层电连接；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕娇，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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