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本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,半导体封装结构包括:基底;牺牲层,位于基底的上表面;重新布线层,位于牺牲层的上表面;芯片,倒装合于重新布线层的上表面;第一电连接结构,位于重新布线层的上表面;第一塑封层,位于重新布线层的上表面,且将...该专利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯长电半导体(江阴)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,半导体封装结构包括:基底;牺牲层,位于基底的上表面;重新布线层,位于牺牲层的上表面;芯片,倒装合于重新布线层的上表面;第一电连接结构,位于重新布线层的上表面;第一塑封层,位于重新布线层的上表面,且将...