一种光耦合器封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种光耦合器封装结构，包括一外模，所述外模内底部前后两端均设置有由环氧树脂填充料层包裹的金属导线架，所述外模中部设置有用于将前后两端金属导线架分隔开的切割道，所述金属导线架上设置有塑封体；本实用新型专利技术结构简单，能够通过切割道的方式在无引脚封装时，达到两通道间光讯号阻隔作用。

【技术实现步骤摘要】
一种光耦合器封装结构
本技术涉及LED封装
，特别是一种光耦合器封装结构。
技术介绍
现有的技术多为有引脚式封装设计，目前主流分成上下对立式与二次塑封平面式。现有封装技术因引脚原因导致限制封装尺寸无法缩小，且引脚设计长度会造成不必要的阻抗与杂讯干扰，为解决以上两种封装引脚过长造成不必要的阻抗与杂讯干扰，故采用无引脚设计(DFN，DualFlatNo-lead)，封装设计为平面载体配合二次热固塑封胶制程方式；制程以一对红外线LED与收光芯片组合，一平面式设计载体，主要为EMC后的金属导线架，搭配具透光性内塑封胶塑封成经光学计算后LENS设计与具红外光反射性外塑封胶进行二次塑封封装，塑封型式为塑封面朝上之单面覆盖式(TopMold)；使红外光于内外塑封胶间进行聚光反射以达到产品电流转换比(CTR)的需求。封装同时以背面基岛(PAD)间距离的设计达到封装定电压绝缘特性需求；无引脚式封装欲进行双通道设计时无法像有引脚式设计一样做二道塑封胶的完整包覆设计。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的是提供一种能够通过切割道的方式在无引脚封装时，达到两通道间光讯号阻隔作用的光耦合器封装结构。本技术采用以下方法来实现：一种光耦合器封装结构，其特征在于：包括一外模，所述外模内底部前后两端均设置有由环氧树脂填充料层包裹的金属导线架，所述外模中部设置有用于将前后两端金属导线架分隔开的切割道，所述金属导线架上设置有塑封体。进一步的，所述塑封体包括一具有透光性的内模，所述金属导线架中部为凸起部，所述金属导线架上设置有红外线LED和收光芯片，且红外线LED和收光芯片位于所述凸起部的左右两侧，所述内模设置于所述金属导线架中部，且内模包裹住所述红外线LED和收光芯片。进一步的，所述金属导线架内设置有一方形块体，且方形块体与所述凸起部相匹配，所述方形块体左右两侧均设置有弧形块。进一步的，所述红外线LED经第一金线与所述金属导线架连接，所述收光芯片经第二金线与所述金属导线架连接。本技术的有益效果在于：本技术通过在装置中加入了切割道，使得能够对一道塑封体以切割制程进行两通道间光讯号阻隔避免交互干扰的发生；且装置中加入了无引脚封装结构，使得能够避免不必要的阻抗与杂讯干扰。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为所述塑封体的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步说明。请参阅图1和图2所示，本技术提供了一实施例：一种光耦合器封装结构，包括一外模1，所述外模1内底部前后两端均设置有由环氧树脂填充料层包裹的金属导线架2，所述外模1中部设置有用于将前后两端金属导线架2分隔开的切割道3，所述金属导线架2上设置有塑封体4。使得通过切割道3的作用，能够将前后两端的金属导线架2进行分割，通过对金属导线架2进行分割能够对塑封体以切割制程进行两通道间光讯号阻隔避免交互干扰的发生。请继续参阅图1和图2所示，本技术一实施例中，所述塑封体4包括一具有透光性的内模41，所述金属导线架2中部为凸起部（未图示），所述金属导线架2上设置有红外线LED42和收光芯片43，且红外线LED42和收光芯片43位于所述凸起部21的左右两侧，所述内模41设置于所述金属导线架2中部，且内模41包裹住所述红外线LED42和收光芯片43。使红外光于内模41和外模1间进行聚光反射以达到产品电流转换比(CTR)的需求；封装同时以背面基岛(PAD)间距离的设计达到封装定电压绝缘特性需求，在本技术中，塑封形式为塑封面朝上的单面覆盖式，但不仅限于此。请继续参阅图2所示，本技术一实施例中，所述金属导线架2内设置有一方形块体21，且方形块体21与所述凸起部相匹配，所述方形块体21左右两侧均设置有弧形块22。本技术中的方形块体21可以是镀锌的块体，但不仅限于此。请继续参阅图1和图2所示，本技术一实施例中，所述红外线LED42经第一金线5与所述金属导线架2连接，所述收光芯片43经第二金线6与所述金属导线架2连接。使得通过第一金线5和第二金线6的作用，能够使金属导线架2对红外线LED42和收光芯片43进行供电作用。本技术中的红外线LED和收光芯片均为现有技术，本领域技术人员已经能够清楚了解，在此不进行详细说明，且本技术保护的是光耦合器封装结构的结构特点。总之，本技术通过将两信道间以切割方式形成切割道，将两个塑封体做分隔达到两通道间光讯号阻隔的作用避免交互干扰的发生，采用无引脚封装设计，有效缩小光耦封装尺寸与避免不必要的阻抗与噪声干扰，且可避免金属导线架间的尖端放电问题，可有效提升光耦合器耐高压特性。以上所述仅为本技术的较佳实施例，凡依本技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光耦合器封装结构，其特征在于：包括一外模，所述外模内底部前后两端均设置有由环氧树脂填充料层包裹的金属导线架，所述外模中部设置有用于将前后两端金属导线架分隔开的切割道，所述金属导线架上设置有塑封体。/n

【技术特征摘要】
1.一种光耦合器封装结构，其特征在于：包括一外模，所述外模内底部前后两端均设置有由环氧树脂填充料层包裹的金属导线架，所述外模中部设置有用于将前后两端金属导线架分隔开的切割道，所述金属导线架上设置有塑封体。


2.根据权利要求1所述的一种光耦合器封装结构，其特征在于：所述塑封体包括一具有透光性的内模，所述金属导线架中部为凸起部，所述金属导线架上设置有红外线LED和收光芯片，且红外线LED和收光芯片位于所述凸起部的左...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏炤亘，翁念义，邱政康，袁瑞鸿，万喜红，李昇哲，杨皓宇，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35