用于处理基板的装置和用于处理装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。用于处理基板的装置包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体内部的处理空间；板，所述板支承所述壳体内部的所述基板；加热构件，所述加热构件设置在所述板的内部以加热所述基板，并且包括多个加热区；温度测量构件，所述温度测量构件测量所述基板相对于所述加热构件的多个加热区的各加热区的温度；和控制单元，所述控制单元控制加热构件在温度测量构件中测量的温度变化图的动态区段中的温度。所述控制单元相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区执行温度控制，以使得所述基板上的薄膜的厚度均匀。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理装置的方法相关申请的交叉引用本申请请求于2019年6月10日递交韩国知识产权局的第10-2019-0068208号韩国专利申请在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
本文描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和一种用于处理基板的方法，且更具体地涉及能够控制用于基板的加热构件的用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。
技术介绍
为了制造半导体设备，进行各种工艺，诸如光刻、蚀刻、沉积、离子注入和清洁工艺。其中，为了形成图案的光刻工艺执行重要功能以实现半导体设备的高度集成。光刻工艺主要包括涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺，并且在曝光工艺之前和之后执行烘烤工艺。烘烤工艺是为了相对于基板执行热处理。根据烘烤工艺，当基板放置在加热板上时，基板通过设置在加热板内的加热构件进行热处理。然而，存在许多干扰因素会对腔室或板的内部产生影响。干扰因素可能是由装备性能或加热构件的各加热区的性能差异引起的。由于这些干扰因素的原因，即使对加热板施用相同的热容量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n壳体，所述壳体具有在所述壳体内部的处理空间；/n板，所述板支承所述壳体内部的所述基板；/n加热构件，所述加热构件设置在所述板的内部以加热所述基板，并且包括多个加热区；/n温度测量构件，所述温度测量构件测量所述基板相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区的温度；和/n控制单元，所述控制单元控制所述加热构件在所述温度测量构件中测量的温度变化图的动态区段中的温度。/n

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00682081.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，所述壳体具有在所述壳体内部的处理空间；
板，所述板支承所述壳体内部的所述基板；
加热构件，所述加热构件设置在所述板的内部以加热所述基板，并且包括多个加热区；
温度测量构件，所述温度测量构件测量所述基板相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区的温度；和
控制单元，所述控制单元控制所述加热构件在所述温度测量构件中测量的温度变化图的动态区段中的温度。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述动态区段为当从所述基板放置在被加热至特定温度的所述板上开始、直到所述板的温度达到常温的温度区段。


3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制单元形成所述基板上的薄膜的厚度的轮廓，所述轮廓对应于所述温度测量构件对于所述多个加热区的各加热区的温度测量结果。


4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述控制单元相对于所述加热构件的所述多个加热区的各加热区执行温度控制，以使得所述基板上的所述薄膜的厚度均匀。


5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述控制单元：
基于所述多个加热区的薄膜厚度的轮廓，选择显示特定值的加热区、或显示与参考值的误差较大的加热区；和
使用选择的加热区中的温度图，以及与对应于选择的加热区的、薄膜的厚度值相对应的薄膜厚度值，来执行温度控制。


6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述控制单元使用所述板的卡路里损失、以及选择的加热区的当前薄膜厚度和期望薄膜厚度，来控制选择的加热区的温度，所述板的卡路里损失被显示在选择的加热区的温度图中。


7.根据权利要求6所述的装置，其中，通过调节连接至所述加热构件的比例-积分-微分(PID)控制器的增益，控制所述控制单元中的所述加热构件的温度。


8.一种用于通过控制加热构件来处理基板的方法，所述加热构件设置在支承壳体内部的所述基板的板的下部处，并且所述加热构件包括多个加热区，所述方法包括：
测量所述基板相对于所述加热构件的所述多个加热区的各...

【专利技术属性】
技术研发人员：李太燮，金奎铉，李成龙，徐同赫，朴绪正，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR