用于处理基板的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于处理基板的装置，其包括：具有内部空间的热处理腔室；壳体，其设置在所述内部空间中，所述壳体在其中具有处理空间；气体供应管线，其将疏水性气体供应至所述处理空间中，以疏水化所述基板；和分解单元，其分解从所述处理空间泄漏至所述内部空间的碱性气体。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月10日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0068197的专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置，更具体地，涉及一种用于通过将气体供应至基板来处理基板的基板处理装置。
技术介绍
在半导体制造工艺中，光刻技术工艺是在晶圆上形成期望的图案的工艺。光刻技术工艺在旋转器设备中执行，该旋转器设备连接有曝光设备，该旋转器设备连续地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。旋转器设备依次执行六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane)(以下称为HMDS)工艺、涂覆工艺、烘烤工艺(bakeprocess)和显影工艺。本文中，HMDS工艺是在施加光刻胶(photo-resist,PR)之前将HMDS分配到晶圆上以促进光刻胶到晶圆的粘附的工艺。通常，在HMDS工艺中，基板被支承在容纳基板的腔室中，且六甲基二硅氮烷(HMDS)气体被供应至基板。在六甲基二硅氮烷(HMDS)气体供应至基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n热处理腔室，其具有内部空间；/n壳体，其设置在所述内部空间中，所述壳体在其中具有处理空间；/n气体供应管线，其被配置为将疏水性气体供应至所述处理空间中，以疏水化所述基板；和/n分解单元，其被配置为分解从所述处理空间泄漏至所述内部空间的碱性气体。/n

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00681971.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
热处理腔室，其具有内部空间；
壳体，其设置在所述内部空间中，所述壳体在其中具有处理空间；
气体供应管线，其被配置为将疏水性气体供应至所述处理空间中，以疏水化所述基板；和
分解单元，其被配置为分解从所述处理空间泄漏至所述内部空间的碱性气体。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述壳体包括：
主体，其具有敞开的顶部侧；和
盖，其被配置为覆盖所述主体的所述敞开的顶部侧，
其中，所述主体和所述盖彼此结合以形成所述处理空间，并且
其中，所述盖竖直地移动以打开或关闭所述处理空间。


3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述热处理腔室具有入口/出口，所述基板通过所述入口/出口进入或离开所述热处理腔室，并且
其中，所述装置还包括门，所述门被配置为打开或关闭所述入口/出口。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述分解单元包括光催化剂。


5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂以膜形式设置，并且被配置为围绕所述壳体。


6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂具有条形形状。


7.根据权利要求6所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珉贞，徐庚进，郑煐宪，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR