一种导电膜的层间架桥结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种导电膜的层间架桥结构及其制备方法，所述导电膜的层间架桥结构包括基底；第一结构层，其包括第一导电区；第二结构层，其包括第一导电连接区；架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一结构层的第一导电区和第二结构层的第一导电连接区电接连。与现有技术相比，本发明专利技术提供的导电膜的层间架桥结构及其制备方法，所述导电膜的层间架桥结构能够将导电膜的底层的导电结构电连接到表层，且与表层的其它导电结构绝缘，从而优化了包括有所述层间架桥结构的导电膜的制作流程，克服了涂布压印工艺无法实现自动化的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种导电膜的层间架桥结构及其制备方法
本专利技术涉及导电薄膜
，特别涉及一种导电膜的层间架桥结构及其制备方法。
技术介绍
透明导电膜是具有良好导电性和可见光波段高透光率的一种薄膜，已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域，具有广阔的市场空间。由于ITO的种种弊端，柔性、低阻的金属网格类透明导电膜正在扮演越来越重要的角色。现有技术中的金属网格类透明导电膜一般在透明基底上制作一层导电层，其通常包括透明基底层，以及相关金属埋入层；所述透明基底层表面具有图形化、相连通的沟槽网络，导电材料填充于沟槽网络之中形成导电膜。金属网格类透明导电膜可分为单层导电层结构和多层导电层结构。为了使透明导电膜应用于具有上下电极的互容式电容触控传感器，一般在基底表面形成两层相互绝缘的导电层，并且两层导电层还都包括有引线区，用于将两层导电层与外部控制器电连接。这类具有双层导电层的透明导电膜在制备时，底层导电层的引线区需要裸露在外面，方便与外部控制器电连接，但是对于目前的涂布压印工艺来讲，此工序无法实现自动化(一般在整个底层导电层上全部涂布UV胶、然后整体压印制备的工艺容易实现自动化，而只局部涂布UV胶和局部压印的工艺很难实现自动化)，需要人工来操作，及其浪费人力物力和时间。而如果在整个底层导电层上涂布压印UV胶形成顶层导电层后，底层导电层上的引线区就无法裸露在外面，从而使底层导电层的引线区电连接外接控制器困难。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种导电膜的层间架桥结构及其制备方法，所述导电膜的层间架桥结构能够将导电膜的底层的导电结构电连接到表层，且与表层的其它导电结构绝缘，从而优化了包括有所述层间架桥结构的导电膜的制作流程，克服了涂布压印工艺无法实现自动化的问题；同时所述导电膜只需要在表层电连接外部控制器，而不需要像传统双层导电膜那样两层都需要电连接外接控制器。本专利技术的技术方案包括：一种导电膜的层间架桥结构，其包括：基底；第一结构层，其堆叠设置在所述基底的上表面，或其嵌设于所述基底的上表面，其包括第一导电区；第二结构层，其堆叠设置在所述第一结构层上，其包括第一导电连接区，所述第一导电连接区与第二结构层的其它导电结构绝缘；架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一导电区和所述第一导电连接区电接连，并且所述架桥区与第二结构层的其它导电结构绝缘。优选的，所述架桥区嵌设在第二结构层的下表面，并且所述架桥区与第一导电连接区的总厚度不小于所述第二结构层的厚度，所述架桥区分别与第一导电区和第一导电连接区在水平面的投影部分或者全部重合。优选的，所述架桥区通过丝网印刷的方式设置在所述第一结构层的上表面。优选的，所述第一结构层和第二结构层之间设置有增粘层和/或绝缘层，所述增粘层和/或绝缘层与所述架桥区在水平面的投影不重合。优选的，所述第二结构层的厚度为5～25um，所述架桥区的厚度为1～10um。优选的，还包括设置在所述第一结构层和第二结构层之间的架桥层，所述架桥区贯穿嵌设在所述架桥层内，所述第一导电连接区与第二结构层的厚度相同，所述架桥区分别与第一导电区和第一导电连接区在水平面的投影部分或者全部重合。优选的，所述架桥层贯穿设置有网格状凹槽，所述架桥区由填充于架桥层的网格状凹槽内的导电材料构成。优选的，还包括设置在所述第一结构层和第二结构层之间的架桥层，所述架桥区包括贯穿嵌设于所述架桥层的第一架桥区和嵌设在第二结构层下表面的第二架桥区，所述第一架桥区分别与第一导电区和第二架桥区在水平面的投影部分或者全部重合；所述第二架桥区与第一导电连接区的总厚度不小于所述第二结构层的厚度，所述第二架桥区与第一导电连接区在水平面的投影部分或者全部重合。本专利技术的技术方案还包括：一种导电膜，包括上述的层间架桥结构。优选的，所述导电膜为双层导电膜，其包括：基底；第一结构层，其堆叠设置在所述基底的上表面，或其嵌设于所述基底的上表面，其包括第一导电区，所述第一导电区包括第一引线区和第一功能区；第二结构层，其堆叠设置在所述第一结构层上，其包括相互绝缘的第一导电连接区和第二导电区，所述第一导电区和第二导电区绝缘；架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一引线区和第一导电连接区电接连，并且所述架桥区与所述第二导电区绝缘。本专利技术的技术方案还包括：一种触控面板，上述的层间架桥结构，所述层间架桥结构的基底为透明玻璃盖板。优选的，所述触控面板为双层导电膜式触控面板，其包括：透明玻璃盖板；第一结构层，其堆叠设置在所述透明玻璃盖板的上表面，或其嵌设于所述透明玻璃盖板的上表面，其包括第一导电区，所述第一导电区包括第一引线区和第一功能区；第二结构层，其堆叠设置在所述第一结构层上，其包括相互绝缘的第一导电连接区和第二导电区，所述第一导电区和第二导电区绝缘；架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一引线区和第一导电连接区电接连，并且所述架桥区与所述第二导电区绝缘。本专利技术的技术方案还包括上述的导电膜的层间架桥结构的一种制作方法，包括如下步骤：在基底的上表面涂布UV胶层，压印第一导电区凹槽，并固化，形成带有第一导电区凹槽的第一结构层；或者在基底的上表面通过激光或化学蚀刻出第一导电区凹槽，形成带有第一导电区凹槽的第一结构层；在所述第一导电区凹槽内填充导电材料，形成带有第一导电区的第一结构层；在带有第一导电区的第一结构层的上表面印刷架桥区；在带有架桥区的第一结构层上涂布UV胶层，所述UV胶层将架桥区全部覆盖，在所述UV胶层上压印第一导电连接区凹槽，并固化，形成带有第一导电连接区凹槽的第二结构层；在固化后的所述第一导电连接区凹槽内填充导电材料，形成带有第一导电连接区的第二结构层。本专利技术的技术方案还包括上述的导电膜的层间架桥结构的另一种制作方法，包括如下步骤：在基底的上表面涂布UV胶层，压印第一导电区凹槽，并固化，形成带有第一导电区凹槽的第一结构层；或者在基底的上表面通过激光或化学蚀刻出第一导电区凹槽，形成带有第一导电区凹槽的第一结构层；在所述第一导电区凹槽内填充导电材料，形成带有第一导电区的第一结构层；在带有第一导电区的第一结构层的上表面涂布UV胶层，压印架桥区凹槽，并固化，形成带有架桥区凹槽的架桥层，所述架桥区凹槽的深度与所述架桥层的厚度相同；在固化后的所述架桥区凹槽内填充导电材料，形成带有架桥区的架桥层；在带有架桥区的架桥层上涂布UV胶层，压印第一导电连接区凹槽，并固化，形成带有第一导电连接区凹槽的第二结构层；在固化后的所述第一导电连接区凹槽内填充导电材料，形成带有第一导电连接区的第二结构层。本专利技术的技术方案还包括上述的导电膜的层间架桥结构的又一种制作方法，包括如下步骤：在基底的上表面涂布UV胶层，压印第一导电区凹槽，并固化，形成带有第一导电区凹槽的第一结构层；或者在基底的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电膜的层间架桥结构，其特征在于，其包括：/n基底；/n第一结构层，其堆叠设置在所述基底的上表面，或其嵌设于所述基底的上表面，其包括第一导电区；/n第二结构层，其堆叠设置在所述第一结构层上，其包括第一导电连接区，所述第一导电连接区与第二结构层的其它导电结构绝缘；/n架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一导电区和所述第一导电连接区电接连，并且所述架桥区与第二结构层的其它导电结构绝缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种导电膜的层间架桥结构，其特征在于，其包括：
基底；
第一结构层，其堆叠设置在所述基底的上表面，或其嵌设于所述基底的上表面，其包括第一导电区；
第二结构层，其堆叠设置在所述第一结构层上，其包括第一导电连接区，所述第一导电连接区与第二结构层的其它导电结构绝缘；
架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一导电区和所述第一导电连接区电接连，并且所述架桥区与第二结构层的其它导电结构绝缘。


2.如权利要求1所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：所述架桥区嵌设在第二结构层的下表面，并且所述架桥区与第一导电连接区的总厚度不小于所述第二结构层的厚度，所述架桥区分别与第一导电区和第一导电连接区在水平面的投影部分或者全部重合。


3.如权利要求2所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：所述架桥区通过丝网印刷的方式设置在所述第一结构层的上表面。


4.如权利要求2所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：所述第一结构层和第二结构层之间设置有增粘层和/或绝缘层，所述增粘层和/或绝缘层与所述架桥区在水平面的投影不重合。


5.如权利要求2所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：所述第二结构层的厚度为5～25um，所述架桥区的厚度为1～10um。


6.如权利要求1所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：还包括设置在所述第一结构层和第二结构层之间的架桥层，所述架桥区贯穿嵌设在所述架桥层内，所述第一导电连接区与第二结构层的厚度相同，所述架桥区分别与第一导电区和第一导电连接区在水平面的投影部分或者全部重合。


7.如权利要求6所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：所述架桥层贯穿设置有网格状凹槽，所述架桥区由填充于架桥层的网格状凹槽内的导电材料构成。


8.如权利要求1所述的导电膜的层间架桥结构，其特征在于：还包括设置在所述第一结构层和第二结构层之间的架桥层，
所述架桥区包括贯穿嵌设于所述架桥层的第一架桥区和嵌设在第二结构层下表面的第二架桥区，所述第一架桥区分别与第一导电区和第二架桥区在水平面的投影部分或者全部重合；
所述第二架桥区与第一导电连接区的总厚度不小于所述第二结构层的厚度，所述第二架桥区与第一导电连接区在水平面的投影部分或者全部重合。


9.一种导电膜，其特征在于：包括如权利要求1-8任一所述的层间架桥结构。


10.一种如权利要求9所述的导电膜，其特征在于：所述导电膜为双层导电膜，其包括：
基底；
第一结构层，其堆叠设置在所述基底的上表面，或其嵌设于所述基底的上表面，其包括第一导电区，所述第一导电区包括第一引线区和第一功能区；
第二结构层，其堆叠设置在所述第一结构层上，其包括相互绝缘的第一导电连接区和第二导电区，所述第一导电区和第二导电区绝缘；
架桥区，其设置在所述第一结构层和第二结构层之间，所述架桥区同时与所述第一引线区和第一导电连接区电接连，并且所述架桥区与所述第二导电区绝缘。


11.一种触控面板，其特征在于：包括如权利要求1-8任一所述的层间架桥结构，所述层间架桥结构的基底为透明玻璃盖板。


12.如权利要求11所述的触控面板，其特征在于：所述触控面板为双层导电膜式...

【专利技术属性】
技术研发人员：基亮亮，刘麟跃，周小红，
申请(专利权)人：苏州维业达触控科技有限公司，苏州苏大维格科技集团股份有限公司，苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32