基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；所述PC机通过串口与上位机相连；所述串口的通信协议为RS232；所述下位机置于模拟源环境中；所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；所述上位机通过高频信号线与下位机相连；所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ。本发明专利技术能够在实验室模拟源辐照条件下获取SRAM存储器单粒子效应、充放电效应的特征参数，如翻转截面、翻转曲线、翻转阈值等信息参数，不用针对不同的效应更换上位机和PC机。

【技术实现步骤摘要】
基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置
本专利技术涉及航天器空间辐射效应及加固
，具体地，涉及一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，具体地，涉及一种检测SRAM存储器因单粒子效应和充放电效应造成内部存储数据翻转的测试系统。
技术介绍
SRAM器件指的是静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory,SRAM)，该结构的特点是只要保持通电，就能够保持内部存储的数据，当供电丢失时，存储的数据也随之消失。SRAM存储器因其具有读写迅速、存储容量大、功耗低等优势在卫星电子系统上得到了广泛应用，如作为星载计算机、有效载荷系统的存储器等。然而空间辐射引起的单粒子效应和充放电效应会造成星载SRAM存储器发生重启、闩锁、翻转等故障，随着卫星长寿命、高可靠要求逐步提升，对SRAM存储器单粒子效应和充放电效应地面模拟试验验证变得至关重要。目前已有的SRAM存储器空间辐射效应测试系统均只针对单粒子效应，无法评估由充放电效应诱发的故障。专利文献CN108133731A公开了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，其特征在于，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；/n所述PC机通过串口与上位机相连；/n所述串口的通信协议为RS232；/n所述下位机置于模拟源环境中；/n所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；/n所述上位机通过高频信号线与下位机相连；/n所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ；/n所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，其特征在于，包括：PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元；
所述PC机通过串口与上位机相连；
所述串口的通信协议为RS232；
所述下位机置于模拟源环境中；
所述模拟源环境为单粒子效应模拟源或充放电效应模拟源；
所述上位机通过高频信号线与下位机相连；
所述上位机与下位机通信的信号速率小于或者等于50MHZ；
所述PC机、上位机、电源单元安装于电磁屏蔽单元中。


2.根据权利要求1所述的基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，其特征在于，所述PC机包括：PC硬件设备和控制软件；
所述PC机通过串口与上位机相连。


3.根据权利要求1所述的基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，其特征在于，所述上位机包括：FPGA控制芯片、电源模块、OSC模块、RS422接口、与下位机通讯接口部件、Flash芯片以及JTAG接口；
所述Flash芯片用于存储上位机的FPGA配置文件；
所述JTAG接口用于测试和直接配置上位机FPGA。


4.根据权利要求1所述的基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置，其特征在于，所述下位机为包括：待...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏京，李秀伟，徐骏，周博，曹康丽，潘阳阳，高冬冬，费涛，刘刚，
申请(专利权)人：上海卫星装备研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31