下载基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置的技术资料

文档序号:26691845

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本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器单粒子和充放电效应综合测试装置,包括:PC机、上位机、下位机、单粒子效应模拟源、充放电效应模拟源以及电磁屏蔽单元;所述PC机通过串口与上位机相连;所述串口的通信协议为RS232;所述下位机置于模拟...
该专利属于上海卫星装备研究所所有,仅供学习研究参考,未经过上海卫星装备研究所授权不得商用。

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