接口测试方法、装置、处理器和电子设备制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种接口测试方法、装置、处理器和电子设备，其中，该方法包括：重复对高带宽存储器进行测试过程，直到达到设定的条件，根据得到的该高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态确定该高带宽存储器的接口的目标配置参数，该测试过程包括：将测试向量通过高带宽存储器的接口发送给该高带宽存储器；从该高带宽存储器按照设定协议读回该测试向量，得到读回向量；将该读回向量与该测试向量进行对比分析，以得到该测试参数的当前状态；根据该高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，调整该测试参数。能够较快速地实现高带宽存储器的接口的测试以及校准。

【技术实现步骤摘要】
接口测试方法、装置、处理器和电子设备
本申请涉及处理器设计
，具体而言，涉及一种接口测试方法、装置、处理器和电子设备。
技术介绍
处理器和高带宽存储器(HighBandwidthMemory，简称：HBM)的存储颗粒是采用硅中阶层的2.5D芯片连接方法，由于高带宽存储器已经是3D的封装，采用这种混合结构可能会带来供电噪声和信号噪声。由于这些存在供电噪声和信号噪声，以及随着信号频率的提高，高带宽存储器的访问出错的概率也就随之提高。由于处理器和HBM是封装连接方式，导致HBM的接口无法探测，传统的采用仪器分析校准已经无法实现。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种接口测试方法、装置、处理器和电子设备，能够较快速地实现高带宽存储器的接口的测试以及校准。第一方面，本专利技术实施例提供一种接口测试方法，包括：重复对高带宽存储器进行测试过程，直到达到设定的条件，根据得到的所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态确定所述高带宽存储器的接口的目标配置参数，所述测试过程包括：将测试向量通过高带宽存储器的接口发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接口测试方法，其特征在于，包括：/n重复对高带宽存储器进行测试过程，直到达到设定的条件，根据得到的所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态确定所述高带宽存储器的接口的目标配置参数，所述测试过程包括：/n将测试向量通过高带宽存储器的接口发送给所述高带宽存储器；/n从所述高带宽存储器按照设定协议读回所述测试向量，得到读回向量；/n将所述读回向量与所述测试向量进行对比分析，以得到所述测试参数的当前状态；/n根据所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，调整所述测试参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种接口测试方法，其特征在于，包括：
重复对高带宽存储器进行测试过程，直到达到设定的条件，根据得到的所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态确定所述高带宽存储器的接口的目标配置参数，所述测试过程包括：
将测试向量通过高带宽存储器的接口发送给所述高带宽存储器；
从所述高带宽存储器按照设定协议读回所述测试向量，得到读回向量；
将所述读回向量与所述测试向量进行对比分析，以得到所述测试参数的当前状态；
根据所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，调整所述测试参数。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试参数包括：读数据通路延时；所述根据所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，调整所述测试参数，包括：
根据所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，采用二分法更新所述读数据通路延时。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用二分法更新所述读数据通路延时，包括：
当所述读数据通路延时的初始值为最大值时，则采用二分法逐渐减小的方式更新所述读数据通路延时；或者，
当所述读数据通路延时的初始值为最小值时，则采用二分法逐渐增大的方式更新所述读数据通路延时。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试参数包括：参考电压和读数据接口延时，根据所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，调整所述测试参数，包括：
以所述测试参数中的第一测试参数为基准，对第二测试参数进行更新，其中，当所述参考电压为所述第一测试参数时，所述读数据接口延时为所述第二测试参数；
在确定所述第二测试参数的最佳值后，以所述第二测试参数的最佳值为基准，对所述第一测试参数进行更新。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对第二测试参数进行更新，包括：使用二分法对所述第二测试参数进行更新；
所述对所述第一测试参数进行更新，包括：使用二分法对所述第一测试参数进行更新。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试参数包括：地址线，所述根据所述高带宽存储器的接口的测试参数的当前状态，调整所述测试参数，包括：
根据所述高带宽存储器的接口的地址线的当前状...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑权，王佩，彭星洪，
申请(专利权)人：海光信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12