闪存芯片的读干扰测试方法、装置及可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种闪存芯片的读干扰测试方法、装置及存储介质。所述方法包括：对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程。在本发明专利技术实施例中，由于在每次进行读干扰测试之前，先对闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程操作，而闪存芯片在进行预编程操作时，所述芯片的浮栅和隧穿氧化层的交界面上的悬空键受到编程操作电压的影响，吸附电子。因此，通过对闪存芯片在进行一次或多次预编程测试，增大了闪存芯片的数据读取时的隧穿(擦除)电压，进而在对闪存芯片上施加读电压时，即可实现降低闪存芯片发生读干扰(误擦除)的概率的目的。

【技术实现步骤摘要】
闪存芯片的读干扰测试方法、装置及可读存储介质
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种闪存芯片的读干扰测试方法、装置及可读存储介质。
技术介绍
闪存是一种在掉电后仍能保存其在掉电前保存的数据的存储器，也就是说即使掉电，闪存上的数据也不会丢失，因此闪存得到了广泛的应用。其中，选择栅共享式分栅快闪存储器是闪存的一种类型。由于选择栅共享式分栅快闪存储器的特殊工艺，选择栅共享式分栅快闪存储器采用了较高的读取电压，导致在对选择栅共享式分栅快闪存储器进行读操作时，浮栅中存储的电荷出现从浮栅流失到字线的现象(类似于擦除操作)，进而发生读干扰。由于存储单元的读干扰和存储单元的擦除失效问题之间存在对立的关系。因此，现有技术中通常采用工艺方式降低读干扰。具体的，在对存储单元进行擦除操作时，降低施加在栅极的擦除电压，即，通过引入部分擦除失效，增大存储器的读操作和擦除操作的工艺窗口，进而降低读干扰。但是，上述降低读干扰的方法并不适用于采用较高读电压的选择栅共享式分栅快闪存储器。综上所述，如何提供一种能解决选择栅共享式分栅快闪存储器的读干扰问题的方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，包括：/n对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程；/n在所述预操作之后，对所述待测试的闪存芯片进行读干扰测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，包括：
对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程；
在所述预操作之后，对所述待测试的闪存芯片进行读干扰测试。


2.如权利要求1所述的闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，所述预操作还包括在每次所述预编程之后和/或之前，对所述闪存芯片的每个存储位进行一次预擦除。


3.如权利要求1或2所述的闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，
对待测试的闪存芯片进行预操作的步骤包括：对所述闪存芯片的每个存储位均依次进行第一次预擦除、预编程、第二次预擦除。


4.如权利要求2所述的闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，所述预操作包括：对所述闪存芯片的每个存储位均进行第一次预擦除，以及，在所述第一次预擦除之后，执行存储功能测试，所述存储功能测试包括多次循环编程和擦除操作，且循环的次数取决于所述闪存芯片的整个性能测试时间。


5.一种闪存芯片的性能测试方法，其特征在于，包括：
按照含有读干扰测试项目的第一针测程序，对所述闪存芯片进行第一次测试，且在进行到所述读干扰测试项目时，按照权利要求1～4中任一项所述的闪存芯片的读干扰测试方法，对所述闪存芯片进行读干扰测试；
在所述第一次测试完成之后，对所述闪存芯片进行烘烤，以模拟老化过程；
按照第二针测程序，对所述闪存芯片进行数据保持性能测试。


6.一种闪存芯片的读干扰测试装置，其特征在于，包括：
预操作模块，用于对...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹启鹏，王卉，王善屹，胡剑，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31