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本发明提供了一种闪存芯片的读干扰测试方法、装置及存储介质。所述方法包括：对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程。在本发明实施例中，由于在每次进行读干扰测试之前，先对闪存芯片的每个存储位进行至...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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