一种存储器检测方法和装置制造方法及图纸

本公开提供一种存储器检测方法和装置，其中所述存储器检测方法，包括：对所有存储单元分别写0、读第一存储结果、写1和读第二存储结果，确定第一检测状态；从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写5和写A，读第三存储结果，确定第二检测状态；从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写C和写3，读第四存储结果，确定第三检测状态；从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写E和写1，读第五存储结果，确定第四检测状态；从第一存储单元开始对所有存储器单元逐一进行写设定数据、读数据、确定存储单元检测状态，确定第五检测状态；基于第一检测状态、第二检测状态、第三检测状态、第四检测状态和第五检测状态确定存储器检测结果。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器检测方法和装置
本公开涉及检测
，特别涉及一种存储器检测方法和装置。
技术介绍
随着5G时代的到临，数据对人们的生活越来越重要，相应的数据存储实现也越发重要。用来的存储器集成度越来越高，存储器的可靠性受到了越来越多专家学者的关注。存储器的可靠性验证需要通过对存储器进行故障检测实现，以排除存储器故障保证存储器可靠工作。存储器检测基于存储器内部结构特点，通过选定有效测试存储器的测试图形实现。常用的存储器检测方法包括MSCAN、GallopingPattern、CheckerPattern方法，March和MarchLR。MarchLR相比其它检测方法，检测的存储器故障种类更全面，包括：SAF(固定故障)、ADF(地址译码故障)、TF(转换故障)、CFin(翻转耦合故障)、CFid(幂耦合故障)、字内CFst(状态耦合故障)、字内BF(桥连故障)和连接故障。但是，其中一种MarchLR检测方法(记载于《基于March算法的SRAM内建自测试设计与验证》文中)复杂度为O(N)，操作数为28N(N为存储单元容量)，测试时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器检测方法，包括：/n按照地址设定顺序对所有存储单元分别写0、读第一存储结果、写1和读第二存储结果，基于第一存储结果和第二存储结果确定第一检测状态；/n按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写5和写A，直到写完所有存储单元，读第三存储结果，基于第三存储结果确定第二检测状态；/n按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写C和写3，直到写完所有存储单元，读第四存储结果，基于第四存储结果确定第三检测状态；/n按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写E和写1，直到写完所有存储单元，读第五存储结果，基于第五存储结果确定第四检测状态；以及，/n按照地址设...

【技术特征摘要】
1.一种存储器检测方法，包括：
按照地址设定顺序对所有存储单元分别写0、读第一存储结果、写1和读第二存储结果，基于第一存储结果和第二存储结果确定第一检测状态；
按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写5和写A，直到写完所有存储单元，读第三存储结果，基于第三存储结果确定第二检测状态；
按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写C和写3，直到写完所有存储单元，读第四存储结果，基于第四存储结果确定第三检测状态；
按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写E和写1，直到写完所有存储单元，读第五存储结果，基于第五存储结果确定第四检测状态；以及，
按照地址设定顺序从第一存储单元开始对所有存储器单元逐一进行写设定数据、读数据、基于读数据确定存储单元检测状态，直到根据所有存储单元检测状态确定第五检测状态；以及，
基于第一检测状态、第二检测状态、第三检测状态、第四检测状态和第五检测状态确定存储器检测结果。


2.如权利要求1所述的存储器检测方法，其中按照地址设定顺序从第一存储单元开始对所有存储单元分别写0、读第一存储结果、写1和读第二存储结果，基于第一存储结果和第二存储结果确定第一检测状态包括：
按地址升序，对所有存储单元分别写0；
按地址降序，读取所有存储单元的存储结果确定为第一存储结果，对所有存储单元分别写1；
按地址升序，读取所有存储单元的存储结果确定为第二存储结果；以及，
如果第一存储结果中所有存储单元的内容均为0，第二存储结果中所有存储单元的内容均为1，则第一检测状态为正常，否则第一检测状态为异常。


3.如权利要求1所述的存储器检测方法，其中按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写5和写A，直到写完所有存储单元，读第三存储结果，基于第三存储结果确定第二检测状态包括：
按地址升序，从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写5和写A，直到写完所有存储单元；
按地址降序，读取所有存储单元的存储结果确定为第三存储结果；以及，
如果第三存储结果中所有存储单元的内容从第一存储单元开始至最后一个存储单元依次循环为5、A，则第二检测状态为正常，否则第二检测状态为异常。


4.如权利要求1所述的存储器检测方法，其中所述按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写C和写3，直到写完所有存储单元，读第四存储结果，基于第四存储结果确定第三检测状态包括：
按地址降序，从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写C和写3，直到写完所有存储单元；
按地址升序，读取所有存储单元的存储结果确定为第四存储结果；以及，
如果第四存储结果中所有存储单元的内容从第一存储单元开始至最后一个存储单元依次循环为C、3，则第三检测状态为正常，否则第三检测状态为异常。


5.如权利要求1所述的存储器检测方法，其中所述按照地址设定顺序从第一存储单元开始对相邻存储单元分别写E和...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁尚贤，吴滔，
申请(专利权)人：上海国微思尔芯技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31