【技术实现步骤摘要】
匀胶显影系统、位置校准装置及其校准方法
本专利技术涉及半导体技术，更具体地，涉及一种匀胶显影系统、位置校准装置及其校准方法。
技术介绍
现如今，光刻经常被认为是集成电路制造过程中最关键的步骤，这是由于光刻质量往往在很大因素上影响着集成电路的成品率。匀胶显影系统是完成除曝光以外的所有光刻工艺的设备，匀胶显影系统的主要工艺处理单元有：增粘单元、热板单元、冷板单元、旋涂单元以及显影单元等，单元与单元之间的晶片传送则通过机械手实现。由于匀胶显影系统实现的工艺较多，从而增加了晶片在各个单元之间的的传送次数和传送距离，在传送的过程中，很难避免晶片在机械手上有偏移。偏移后的晶片在进入热板单元时存在撞导柱的风险，在进入旋涂和显影单元时也会因为离心力不均匀而导致光刻胶涂布不均匀和显影后冲洗不干净的问题，这些都会造成晶片的缺陷，从而影响了集成电路的良率。因此，希望进一步改进匀胶显影系统、晶片的位置校准装置及其校准方法，从而晶片位置的校准精度，使得晶片可以准确的进入匀胶显影系统的各个单元中并置于预设位置。专利技术内...
【技术保护点】
1.一种位置校准方法，其特征在于，包括：获得晶片的实际中心点坐标；以及根据所述实际中心点坐标与理论中心点坐标控制机械手将所述晶片移动到预设位置，其中，获得晶片的实际中心点坐标的步骤包括：/n获取所述晶片的部分边缘的初始图像；/n根据所述初始图像获得所述晶片的边缘的多个边界点坐标，并判断所述部分边缘是否存在预设缺口；以及/n根据判断结果计算所述实际中心点坐标，/n在判断结果为否的情况下，采用所述多个边界点坐标计算所述实际中心点坐标，在判断结果为是的情况下，获得位于所述预设缺口的边界点坐标并剔除，利用剩余边界点坐标计算所述实际中心点坐标。/n
【技术特征摘要】
1.一种位置校准方法，其特征在于，包括：获得晶片的实际中心点坐标；以及根据所述实际中心点坐标与理论中心点坐标控制机械手将所述晶片移动到预设位置，其中，获得晶片的实际中心点坐标的步骤包括：
获取所述晶片的部分边缘的初始图像；
根据所述初始图像获得所述晶片的边缘的多个边界点坐标，并判断所述部分边缘是否存在预设缺口；以及
根据判断结果计算所述实际中心点坐标，
在判断结果为否的情况下，采用所述多个边界点坐标计算所述实际中心点坐标，在判断结果为是的情况下，获得位于所述预设缺口的边界点坐标并剔除，利用剩余边界点坐标计算所述实际中心点坐标。
2.根据权利要求1所述的位置校准方法，其特征在于，判断所述边缘是否存在预设缺口的步骤包括：
根据所述预设缺口的尺寸设置窗口；
自所述初始图像中的起始位置向不同方向移动所述窗口以获得所述窗口内的像素值变化量；以及
判断所述变化量是否大于预设值，在判断结果为是的情况下，所述边缘存在所述预设缺口，在判断结果为否的情况下，所述边缘不存在所述预设缺口。
3.根据权利要求2所述的位置校准方法，其特征在于，所述窗口包括高斯窗，
其中，根据所述预设缺口的尺寸设置窗口的步骤包括：将所述高斯窗的长和宽均设置为所述预设缺口半径与像素当量的比值。
4.根据权利要求3所述的位置校准方法，其特征在于，在所述变化量大于所述预设值的情况下，所述起始位置为角点，所述角点包括第一角点与第二角点，
其中，获得位于所述预设缺口的边界点的步骤包括：
判断每个所述边界点的横坐标是否落在所述第一角点的横坐标至所述第二角点的横坐标之间；或判断每个所述边界点的纵坐标是否落在所述第一角点的纵坐标至所述第二角点的纵坐标之间；以及
根据判断结果确定相应所述边界点是否位于所述预设缺口，在判断结果为是的情况下，相应所述边界点位于所述预设缺口，在所述判断结果为否的情况下，相应所述边界点不位于所述预设缺口。
5.根据权利要求1至4任一项所述的位置校准方法，其特征在于，所述初始图像中的所述部分边缘的长度不大于所述晶片周长的一半，所述初始图像的数量包括两个。
6.根据权利要求5所述的位置校准方法，其特征在于，所述实际中心点坐标包括第一实际中心点坐标与第二实际中心点坐标，所述根据所述实际中心点坐标与理论中心点坐标控制机械手将所述晶片移动到预设位置的步骤包括：
获得所述第一实际中心点坐标与所述第二实际中心点坐标的均值坐标；
获得所述均值坐标与所述理论中...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨钊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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