一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件技术

本发明专利技术提供一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件，所述高纯铝靶材组件的钎焊方法通过在高纯铝靶材中设置凹槽，在背板上设置凸台，同时选用材质为C18150或C18000的背板，不仅能够保障背板与高纯铝靶材的焊接结合率，而且能够有效表面焊接过程中的变形情况，且焊接后的高纯铝靶材组件无漏水现象，应用前景优良。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件
本专利技术涉及溅射靶材
，尤其涉及靶材焊接
，特别涉及一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件。
技术介绍
金属溅射靶材是溅射沉积技术中用做阴极的材料。该阴极材料在溅射机台中被带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面重新沉积。由于金属溅射靶材往往是高纯的铝、铜、钛、镍、钽及贵金属等比较贵重的材料，所以在其制造时常常使用比较普通的材料来作为背板。背板起到支撑靶材、冷却、降低成本等作用，常用的材料有铝合金(ALBP)、铜合金(CUBP)等。高纯铝靶材(≥3N)是半导体芯片制造常用的导线制造材料，而其在使用是通常需要与背板进行焊接。CN111421258A公开了一种高纯铝靶材的焊接方法，所述焊接方法包括如下步骤：(1)将高纯铝靶材和背板组装后置于包套中并将包套密封；(2)对密封后的包套依次进行抽真空及脱气处理，之后进行第一焊接；(3)第一焊接完成后，去除包套，对高纯铝靶材和背板进行第二焊接，但该方法在焊接过程中容易出现靶材变形的问题。CN2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯铝靶材组件的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法中所用背板包括基底和设置在基底焊接面的凸台；/n所述钎焊方法中所用高纯铝靶材的焊接面设置有与所述凸台对应的凹槽；/n所述背板的材质为C18150或C18000。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纯铝靶材组件的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法中所用背板包括基底和设置在基底焊接面的凸台；
所述钎焊方法中所用高纯铝靶材的焊接面设置有与所述凸台对应的凹槽；
所述背板的材质为C18150或C18000。


2.根据权利要求1所述的钎焊方法，其特征在于，所述凹槽的直径比所述凸台的直径大0.01～0.05mm；
优选地，所述凹槽的深度为0.3～0.8mm；
优选地，所述凸台的高度为0.1～0.6mm；
优选地，所述凹槽的深度比凸台的高度大；
优选地，所述凹槽的深度比凸台的高度大0.1～0.7mm。


3.根据权利要求1或2所述的钎焊方法，其特征在于，所述基底的厚度为5.5～6.5mm；
优选地，所述高纯铝靶材的厚度为11～12mm；
优选地，所述高纯铝靶材的铝纯度≥99.9wt％。


4.根据权利要求1～3任一项所述的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)将高纯铝靶材和背板组配后，进行钎焊焊接，得到焊接后组件；
(2)所述焊接后组件经冷却，得到高纯铝靶材组件。


5.根据权利要求4所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(1)中所述钎焊焊接的温度为190～240℃；
优选地，所述钎焊焊接过程的焊料设置与所述凹槽中；
优选地，所述焊料为锡铟焊料或铟焊料。


6.根据权利要求4或5所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(2)中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，章丽娜，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33