化学机械研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。所述化学机械研磨装置包括：传送结构，用于沿预设路径在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆；喷嘴，沿所述预设路径设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的过程中向所述晶圆喷射清洗液。本实用新型专利技术一方面，减少了晶圆表面的杂质残留，提高了晶圆表面的洁净度，确保了后续工艺的顺利进行；另一方面，在晶圆传输的同时完成晶圆的清洗工序，节省了晶圆产品的制程时间，从而提高了半导体的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种化学机械研磨装置。
技术介绍
化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。研磨过程中研磨头施加一定的压力在晶圆背面使晶圆正面紧贴研磨垫。同时，研磨头带动晶圆和研磨垫同方向旋转，使晶圆正面与研磨垫产生机械摩擦。在研磨过程中，通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的一层薄膜，从而达到晶圆平坦化的目的。化学机械研磨过程通常是在化学机械研磨装置内部的研磨台中进行。但是，由于当前化学机械研磨装置结构的限制，在研磨前对位于化学机械研磨装置内部的晶圆清洗的效率较低，从而一方面导致晶圆在研磨前或者研磨后表面残留有颗粒物等杂质，另一方面降低了化学机械研磨装置的产能，进而也导致了晶圆产品产率的降低。另外，研磨前晶圆表面杂质的残留会导致晶圆在研磨过程中表面出现划痕等缺陷，严重时甚至导致晶圆的报废，从而导致晶圆产品质量的降低。因此，如何提高化学机械研磨装置内部晶圆清洗的效率，从而提高化学机械研磨装置的产能，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种化学机械研磨装置，用于解决现有技术中在化学机械研磨装置内部对晶圆进行清洁的效率较低的问题，以提高化学机械研磨装置的产能，节省晶圆制程时间。为了解决上述问题，本技术提供了一种化学机械研磨装置，包括：传送结构，用于沿预设路径在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆；喷嘴，沿所述预设路径设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的过程中向所述晶圆喷射清洗液。可选的，还包括：传感器，用于检测所述传送结构是否沿所述预设路径传输晶圆，若是，则驱动所述喷嘴向所述传送结构传输的晶圆表面喷射所述清洗液。可选的，所述喷嘴的数量至少为两个，且两个所述喷嘴设置在所述预设路径的相对两侧。可选的，还包括用于研磨晶圆的研磨台；所述预设路径包括：第一子预设路径，所述传送结构沿所述第一子预设路径将晶圆传输至所述研磨台研磨；第二子预设路径，所述传送结构沿所述第二子预设路径将研磨后的所述晶圆传输至外界；所述喷嘴包括沿所述第一子预设路径设置的第一子喷嘴和沿所述第二子预设路径设置的第二子喷嘴。可选的，在沿竖直方向上，所述第一子预设路径位于所述第二子预设路径上方；所述第一子喷嘴沿竖直方向上的投影与所述第二子喷嘴重合。可选的，所述喷嘴包括沿所述预设路径的延伸方向排布的多个喷口；所述喷口用于沿预设角度向所述传送结构传输的所述晶圆倾斜喷射所述清洗液。可选的，所述预设角度为相对于所述晶圆的传输方向倾斜30°～60°的方向。可选的，还包括：控制器，用于调整所述喷口喷出的所述清洗液的流速。可选的，所述清洗液为超声去离子水。可选的，还包括：管道，用于与所述喷嘴连通，以将存储于所述化学机械研磨装置外部的所述超声去离子水传输至所述喷嘴。本技术提供的化学机械研磨装置，通过在所述化学机械研磨装置内部的用于传输晶圆的预设路径上设置喷嘴，使得在传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的同时，就能完成晶圆清洗的过程，一方面，减少了晶圆表面的杂质残留，提高了晶圆表面的洁净度，确保了后续工艺的顺利进行；另一方面，在晶圆传输的同时完成晶圆的清洗工序，节省了晶圆产品的制程时间，从而提高了半导体的生产效率。附图说明附图1是本技术具体实施方式中化学机械研磨装置的俯视结构示意图；附图2是本技术具体实施方式中预设路径的结构示意图；附图3是本技术具体实施方式中喷嘴向晶圆喷射清洗液时的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的化学机械研磨装置的具体实施方式做详细说明。在当前的化学机械研磨装置中，只在研磨腔室内部的研磨头清洗及晶圆载入/载出台(HeadCleanLoad/Unload，HCLU)位置对研磨前的晶圆进行简单的冲洗。但是，这种清洗方式至少存在如下两个方面的缺陷：一方面，需要额外的冲洗时间，从而降低了化学机械研磨装置的产能，导致半导体制程制程时间的延长以及生产效率的降低；另一方面，HCLU位置对晶圆的简单冲洗效果较差，极易导致晶圆表面残留有颗粒物等杂质，从而造成后续化学机械研磨的过程中晶圆表面划痕等缺陷的产生，严重时甚至导致晶圆的报废。为了提高化学机械研磨装置的产能，缩短半导体制程时间，本具体实施方式提供了一种化学机械研磨装置，附图1是本技术具体实施方式中化学机械研磨装置的俯视结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的化学机械研磨装置，包括：传送结构，用于沿预设路径10在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆11；喷嘴12，沿所述预设路径10设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径10传输所述晶圆的过程中向所述晶圆11喷射清洗液。具体来说，如图1所示，所述晶圆11自所述化学机械研磨装置外部传输至传送腔室15内的第一载入/载出台151，所述传送结构将所述第一载入/载出台151上的所述晶圆11经所述预设路径10传输至第二载入/载出台14，所述第二载入/载出台14再将所述晶圆11传输至研磨腔室13中的第三载入/载出台132，之后由所述第三载入/载出台132传输待研磨的所述晶圆11至研磨台131上进行化学机械研磨过程。在所述晶圆11完成化学机械研磨过程之后，所述传送结构再将所述第二载入/载出台14上的研磨后的所述晶圆11经所述预设路径11传输至传送腔室15，最后由所述传送腔室15传输至外界。本具体实施方式中所述的传送结构可以是但不限于机械手臂。本具体实施方式通过沿所述预设路径10设置所述喷嘴12，在所述传送结构沿所述预设路径10传输所述晶圆的过程中，同步进行了所述晶圆11的清洗，从而无需额外的晶圆清洗时间，例如无需在所述第三载入/载出台132额外再进行所述晶圆11的清洗工序，提高了在化学机械研磨装置内部对所述晶圆进行清洁的效率，进而提高了化学机械研磨装置的机台产能，节省了晶圆产品的制程时间。本具体实施方式中，为了确保所述晶圆11的清洗效果，所述喷嘴12设置于所述预设路径10的上方。在本具体实施方式中，本领域技术人员可以根据实际需要，沿所述传送结构的整个所述预设路径10设置所述喷嘴12，以图1为例，即所述喷嘴12沿X轴方向的长度与所述预设路径10沿X轴方向的长度相等。或者，只沿所述预设路径10的部分位置设置所述喷嘴12，即所述喷嘴12沿X轴方向的长度小于所述预设路径10沿X轴方向的长度。可选的，所述化学机械研磨装置还包括：传感器，用于检测所述传送结构是否沿所述预设路径10传输晶圆11，若是，则驱动所述喷嘴12向所述传送结构传输的晶圆11表面喷射所述清洗液。具体来说，当所述传感器检测到所述传送结构沿所述预设路径10传输所述晶圆11时，则驱动所述喷嘴12向所述传送结构传输的所述晶圆11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械研磨装置，其特征在于，包括：/n传送结构，用于沿预设路径在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆；/n喷嘴，沿所述预设路径设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的过程中向所述晶圆喷射清洗液。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨装置，其特征在于，包括：
传送结构，用于沿预设路径在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆；
喷嘴，沿所述预设路径设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的过程中向所述晶圆喷射清洗液。


2.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括：
传感器，用于检测所述传送结构是否沿所述预设路径传输晶圆，若是，则驱动所述喷嘴向所述传送结构传输的晶圆表面喷射所述清洗液。


3.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述喷嘴的数量至少为两个，且两个所述喷嘴设置在所述预设路径的相对两侧。


4.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括用于研磨晶圆的研磨台；所述预设路径包括：
第一子预设路径，所述传送结构沿所述第一子预设路径将晶圆传输至所述研磨台研磨；
第二子预设路径，所述传送结构沿所述第二子预设路径将研磨后的所述晶圆传输至外界；
所述喷嘴包括沿所述第一子预设路径设置的第一子喷嘴和沿所述第二子预设路径设置的第二子喷嘴。
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【专利技术属性】
技术研发人员：方青春，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42