一种包含纳米缝的金属膜透镜制造技术

一种包含纳米缝的金属膜透镜，其特征在于：首先确定入射波，再选取合适的基底材料，在基底上再蒸镀一层金属膜，让入射波垂直于金属膜表面入射，计算入射波在所取的金属膜中的趋肤深度；在金属膜上选定ｘ轴方向，在ｘ轴正方向上抽样；然后通过计算每个抽样点的相位改变量、传播常数计算出每个抽样点金属缝的宽度；取ｘ轴负方向上的缝隙排布与其正方向上缝隙排布呈对称分布；最后根据设计所得的各抽样点的缝宽；利用现有加工技术进行制作，得到包含纳米缝的金属膜透镜。本发明专利技术可以根据事先给定的任意物像位置来改变金属膜透镜的缝隙分布以实现近场或者远场成像，同时本发明专利技术所设计的透镜结构简单，可以很方便的用于光路系统集成，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

专利技术涉及一种金属纳米缝阵列成像装置，特别涉及一种包含纳米缝的金属膜透镜。
技术介绍
近年来，纳米技术得到了突飞猛进的发展，其在生物医学检测等方面的应用也对相应的近场光学成像提出了新的要求，各种成像器件正在逐步朝着小型化和集成化的方向发展。在一系列的新型成像器件中，超透镜(Superlens)越来越受到人们的关注，超透镜最大的优点是可以突破传统衍射极限，从而达到一个很高的成像分辨率；然而其缺点也很明显，由于超透镜成像利用了倏逝波放大原理，所以成像位置仅限于离银层非常近的一段距离，一般为几十纳米，虽然可以通过加入其它结构将超透镜成像引至远场，但其结构非常复杂并且对准精度要求很高，不利于系统集成化。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，利用表面等离子体原理引出了一种结构简单，方便用于光路系统集成的包含纳米级缝隙的金属膜透镜。 本专利技术解决其技术所采用的技术方案一种包含纳米缝隙的金属膜透镜，其特征在于步骤如下 (1)选择入射光的工作波长λ，根据其波长选择可以透光的基底材料； (2)在基底表面蒸镀厚度为d的金属膜，入射光垂直于金属膜上表面入射； (3)根据式(1)计算入射波在所取的金属膜中的趋肤深度 其中dF表示趋腹深度，ε1表示金属的介电常数的实部，ε2表示金属周围介质的介电常数； (4)取垂直穿过金属膜中心的轴为中轴，假设中轴与金属膜上表面相交位置为坐标原点，在金属膜上表面取过原点的某方向为x轴方向，确定x轴正方向，在x轴正方向上进行抽样，取第一抽样点在x1＝0处，假设第一个抽样点处的缝宽L(x1)为L0，那么将i＝1代入公式(2)、(3)计算，可以得到第一个抽样点处对应的相位改变量Δφ(x1)即Δφ0， β(xi)＝Δφ(xi)/d(2) 其中，k0是光在自由空间中的波矢，εd和εm分别是介质的介电常数和金属的介电常数，L(xi)为第i个抽样点处缝的宽度，此处L(x1)＝L0，β(xi)表示第i个抽样点处的传播常数、Δφ(xi)表示第i个抽样点处的相位改变量； (5)第二个抽样点的位置x2＝L(x1)+2dF，由成像原理中的等光程原理可知该位置处所需的相位改变量可由公式(4)得出 参数a是物点到金属薄膜上表面的距离，即为物距，参数b是金属薄膜下表面到像点中心处的距离，即为像距，物点和像点的中心都在金属薄膜的中轴上面，n是一个任意的整数，Δφ0为第一个抽样点处对应的相位改变量； 根据该相位改变量，该抽样点对应的缝宽L(x2)可以由(2)、(3)两式计算得到；(6)依此类推，第i(i＞2)个抽样点其位置为xi，那么有L(xk)为第k个抽样点缝的宽度，通过重复步骤(5)和步骤(4)可以得到各点对应的缝隙宽度，从而获得在x轴正方向上的缝隙排布； (7)取在x轴负方向上的缝隙排布与其正方向上获得的缝隙排布呈对称分布； (8)根据上述设计所得的各抽样点的缝宽，利用现有加工技术进行制作，获得包含纳米缝的金属膜透镜。 所述步骤(1)中的可透光的基底材料的可以为石英，二氧化硅。 所述步骤(1)中的选取的工作波的偏振模式为TM模式。 所述步骤(2)中的金属膜的厚度d一般为300纳米到1微米。 所述步骤(2)中的金属膜材料为能够激发表面等离子体的金属金、银、铜或铝。 所述步骤(4)中的原点处的缝宽L0可以为0nm到60nm。 所述步骤(5)中n的选择使得相位改变量在一个调制周期0～2π内。 本专利技术与现有技术相比所具有的优点是利用表面等离子体对光波的相位调制，来设计一种包含纳米级缝隙的金属膜透镜，该透镜可以实现近场区域内的成像；相比于超透镜，可以根据事先给定的任意物像位置来改变金属膜透镜的缝隙分布以实现近场或远场成像；同时，该金属膜透镜结构非常简单，可以很方便的用于光路系统集成，具有广阔的应用前景。 附图说明 图1是本专利技术实施例所设计的金属膜透镜的剖面图； 图2是本专利技术实施例所设计的金属膜透镜的俯视图； 图3为本专利技术实施例设计所得的各抽样点处的金属缝宽； 图中1为基底二氧化硅，2为金属银，3为通光的空气缝隙。 具体实施例方式 下面结合附图及具体实施方式对本专利技术进行详细说明，但本专利技术的保护范围并不仅限于下面实施例，应包括权利要求书中的全部内容。 本专利技术实施例的具体步骤如下 (1)选取工作波长λ为810nm，偏振模式为TM模式，确定所设计的金属膜透镜成像时的物距和像距都为1um； (2)选择二氧化硅作为基底材料，在其表面蒸镀300nm的金属银； (3)让入射光垂直于金属膜上表面入射，运用公式(1)计算得到在工作波长下光的趋肤深度为25nm； ε1表示金属银的介电常数的实部，其值为-29.26，ε2表示空气的介电常数，其值为1； (4)取垂直穿过金属膜表面的轴为中轴，假设中轴与金属膜上表面相交位置为坐标原点，在金属膜上表面上取过原点的某一方向为x轴方向，确定x轴正方向，x1＝0位置处的抽样点为第一个抽样点，假设此处的缝隙宽度L(x1)即L0为10nm，那么由公式(2)和公式(3)计算以获得该处的相位改变量Δφ(x1)即Δφ0为1.88； β(xi)＝Δφ(xi)/d(2) 其中，k0是光在自由空间中的波矢，εd和εm分别是介质的介电常数和金属的介电常数，L(xi)为第i个抽样点金属缝的宽度，β(xi)表示该抽样点处的传播常数，Δφ(xi)表示该抽样点处的相位改变量； (5)沿x轴正方向选取第2个抽样点，其位置为x2＝L(x1)+2dF＝60nm，由成像原理中的等光程原理可知该位置处所需的相位改变量可由公式(4)给出 参数a为物距，其值为1um，参数b为像距，其值为1um，物点和像点的中心都在金属薄膜的中轴上面；此处n取值为0，可以使得此处的相位改变量为1.81；该相位改变量对应的缝隙宽度L(x2)可以由公式(2)和公式(3)式计算得到所得L(x2)值为11nm； (6)在x轴正方向上依次选择抽样点，共取得25个抽样点，第i(i＞2)个抽样点其位置为xi，那么L(xk)为第k个抽样点缝的宽度，通过步骤(5)和步骤(4)的计算，可以得到各点对应的缝隙宽度，从而获得在x轴正方向上的缝隙排布； (7)取在x轴负方向上的缝隙排布与其正方向上获得的缝隙排布呈对称分布，可得51个抽样点的缝隙宽度分布在10nm到60nm之间，如图3所示； (8)根据上述设计所得的各抽样点的缝宽，利用现有加工技术进行制作，获得包含纳米缝的金属膜透镜，如图1，图2所示。权利要求1.一种包含纳米缝的金属膜透镜，其特征在于包括下列步骤(1)选择入射光的工作波长λ，根据其波长选择可以透光的基底材料；(2)在基底表面蒸镀厚度为d的金属膜，入射光垂直于金属膜上表面入射；(3)根据式(1)计算入射波在所取的金属膜中的趋肤深度其中dF表示趋腹深度，ε1表示金属的介电常数的实部，ε2表示金属周围介质的介电常数；(4)取垂直穿过金属膜中心的轴为中轴，假设中轴与金属膜上表面相交位置为坐标原点，在金属膜上表面取过原点的某方向为x轴方向，确定x轴正方向，在x轴正方向上进行曲样，取第一抽样点在x1＝0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含纳米缝的金属膜透镜，其特征在于包括下列步骤：（１）选择入射光的工作波长λ，根据其波长选择可以透光的基底材料；（２）在基底表面蒸镀厚度为ｄ的金属膜，入射光垂直于金属膜上表面入射；（３）根据式（１）计算入射波在所 取的金属膜中的趋肤深度：＊＊＊（１）其中ｄ↓［Ｆ］表示趋腹深度，ε↓［１］表示金属的介电常数的实部，ε↓［２］表示金属周围介质的介电常数；（４）取垂直穿过金属膜中心的轴为中轴，假设中轴与金属膜上表面相交位置为坐标 原点，在金属膜上表面取过原点的某方向为ｘ轴方向，确定ｘ轴正方向，在ｘ轴正方向上进行抽样，取第一抽样点在ｘ↓［１］＝０处，假设第一个抽样点处的缝宽Ｌ（ｘ↓［１］）为Ｌ↓［０］，那么将ｉ＝１代入公式（２）、（３）计算，可以得到第一个抽样点处对应的相位改变量△φ（ｘ↓［１］）即△φ↓［０］，β（ｘ↓［ｉ］）＝△φ（ｘ↓［ｉ］）／ｄ（２）＊＊＊（３）其中，ｋ↓［０］是光在自由空间中的波矢，ε↓［ｄ］和ε↓［ｍ］分别是介质的介电常数和金属的介电常数，Ｌ（ ｘ↓［ｉ］）为第ｉ个抽样点处缝的宽度，此处Ｌ（ｘ↓［１］）＝Ｌ↓［０］，β（ｘ↓［ｉ］）表示第ｉ个抽样点处的传播常数、△φ（ｘ↓［ｉ］）表示第ｉ个抽样点处的相位改变量；（５）第二个抽样点的位置ｘ↓［２］＝Ｌ（ｘ↓［１］）＋２ｄ↓［Ｆ ］，由成像原理中的等光程原理可知该位置处所需的相位改变量可由公式（４）得出△φ（ｘ↓［ｉ］）＝２ｎπ＋△φ↓［０］＋２π／λ.（ａ＋ｂ－＊＊＊－＊＊＊）（４）参数ａ是物点到金属薄膜上表面的距离，即为物距，参数ｂ是金属薄膜 下表面到像点中心处的距离，即为像距，物点和像点的中心都在金属薄膜的中轴上面，ｎ是一个任意的整数，△φ↓［０］为第一个抽样点处对应的相位改变量；根据该相位改变量，该抽样点对应的缝宽Ｌ（ｘ↓［２］）可以由（２）、（３）两式计算得到； （６）依此类推，第ｉ（ｉ＞２）个抽样点其位置为ｘ↓［ｉ］，那么有ｘ↓［ｉ］＝＊Ｌ（ｘ↓［ｋ］）＋２（ｉ－１）.ｄ↓［Ｆ］Ｌ（ｘ↓［ｋ］）为第ｋ个抽样点缝的宽度，通过重复步骤（５）和步骤（４）可以得到各点对应的缝隙宽度，从而获得在ｘ轴正方 向上的缝隙排布；（７）取在ｘ轴负方向上的缝隙排布与其正方向上获得的缝隙排布呈对称分布；（８）根据上述设计所得的各抽样点的缝宽，利...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，徐挺，杜春雷，王长涛，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]