一种双缓冲层GIGS太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种双缓冲层GIGS太阳能电池，从上至下依次包括不锈钢衬底、Ti层、第一Mo层、MoNa层、第二Mo层、铜铟镓硒层、纳米氧化硅层、硫化镉层、第一氧化锌层、第二氧化锌层以及Ag层。本发明专利技术制备的CIGS电池采用的是SiOx/CdS双缓冲层，它对CIGS薄膜表面有更好的钝化作用，增加了器件的并联电阻，降低电池的漏电流，因此有效的提高了电池的开路电压和电池效率；并且降低了有毒薄膜CdS的厚度，向无Cd化的CIGS薄膜电池的发展迈了一步。

【技术实现步骤摘要】
一种双缓冲层GIGS太阳能电池
本专利技术涉及GIGS(铜铟镓硒)太阳能电池
，尤其涉及一种双缓冲层GIGS太阳能电池。
技术介绍
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池具有低成本、高效率、弱光发电等优势，是一种公认的前景被看好的太阳能电池之一。它的一般结构为基底/Mo/CIGS/CdS/IZO/AZO，CIGS太阳能电池属于异质结太阳能电池结构，CIGS是P型材料，CdS(硫化镉)是N型材料。对于异质结的太阳能电池，其界面态对电池性能有很大的影响，因此要想获高的效率，具有高质量、低缺陷态的异质结界面是至关重要的。目前CIGS太阳能电池的吸光层CIGS薄膜的多晶晶粒尺寸在1-2um左右，而且在工业生产中，需要有高的沉积速率，因此制备的CIGS薄膜的均匀性及平整度都比较差，这就是CIGS电池量产以后效率往往低于实验阶段效率的原因之一。另外通常情况下N型材料CdS的厚度约50nm左右，所以当CIGS吸收层的粗糙度较大时，导致CdS薄膜生长不均匀，有许多岛状区域产生，这样CdS薄膜不能完全包覆整个CIGS吸收层的表面，导致后续制备的电流具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双缓冲层GIGS太阳能电池，其特征在于：从上至下依次包括不锈钢衬底(1)、Ti层(2)、第一Mo层(3)、MoNa层(4)、第二Mo层(5)、铜铟镓硒层(6)、纳米氧化硅层(7)、硫化镉层(8)、第一氧化锌层(9)、第二氧化锌层(10)以及Ag层(11)。/n

【技术特征摘要】
1.一种双缓冲层GIGS太阳能电池，其特征在于：从上至下依次包括不锈钢衬底(1)、Ti层(2)、第一Mo层(3)、MoNa层(4)、第二Mo层(5)、铜铟镓硒层(6)、纳米氧化硅层(7)、硫化镉层(8)、第一氧化锌层(9)、第二氧化锌层(10)以及Ag层(11)。


2.根据权利要求1所述一种双缓冲层GIGS太阳能电池，其特征在于：所述纳米氧化硅层(7)的厚度为10nm。


3.根据权利要求1所述一种双缓冲层GIGS太阳能电池，其特征在于：所述硫化镉层(8)的厚度为20nm。


4.根据权利要求1所述一种双缓冲层GIGS太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢海江，李涛，连重炎，张锋锋，黄显艺，
申请(专利权)人：宣城开盛新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34