【技术实现步骤摘要】
一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法
本专利技术涉及一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,属于光伏电池领域。
技术介绍
激光无线能量传输具有单色性好、方向性好、无电磁干扰等优点,可以实现天地或空间点对点能量传输,其核心器件为激光电池,一般根据配套激光器的波长进行结构设计及材料选择,只能利用特定波长的激光能量而无法有效利用空间中的太阳光进行光伏发电。三结砷化镓太阳电池以其转化效率高、抗辐照能量强等特点,近年来作为最重要的光伏器件被广泛应用于各类航天器。顶、中、底三个子电池的带隙分别为1.85eV、1.42eV、0.67eV,所对应的响应光谱波段分别为350~700nm、700~880nm、880~1750nm,由于可以对太阳光谱进行分段吸收利用,因此三结砷化镓太阳电池的光电转换效率可以在30%以上。当航天器运行到地球阴影区时,太阳电池将无法光伏发电,此时航天器只能利用蓄电池电能运行,这极大地限制了航天器有效载荷的工作效率,而普通的三结砷化镓太阳电池不但无法利用激光进行光伏发电,其被高能量激光照射还会引起热损伤,造成电池的降能失效。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是:针对目前现有技术中,传统三结砷化镓太阳电池在航天器运行至地球阴影区时无法进行光伏发电、仅能通过蓄电池使航天器运行的问题,提出了一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法。本专利技术解决上述技术问题是通过如下技术方案予以实现的:一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,步骤如下: ...
【技术保护点】
1.一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,其特征在于步骤如下:/n(1)选取Ge衬底晶片,并采用蒸镀工艺于Ge衬底晶片表面沉积Ag金属层;/n(2)通过光刻刻蚀将步骤(1)沉积Ag金属层制备为Ag金属格栅;/n(3)利用MOCVD工艺于Ag金属格栅上外延生长三结砷化镓电池,获取沉积Ge底电池、GaAs中电池、GaInP顶电池;/n(4)于Ge衬底晶片背面进行背面电极制备;/n(5)利用光刻及干法刻蚀工艺于电池区域对Ag金属格栅上的GaAs中电池、GaInP顶电池进行刻蚀直至露出Ag金属格栅;/n(6)于GaInP顶电池表面及电池区域露出的Ag金属格栅表面,通过光刻及蒸镀工艺制备负极;/n(7)利用套刻及湿法腐蚀于GaInP顶电池表面制备减反射膜;/n(8)利用高温合金工艺进行电极材料与外部半导体材料欧姆接触,根据所需光伏电池设计参数进行机械划片,连接负极与互联片、负极与激光输出二极管、背面电极与旁路二极管。/n
【技术特征摘要】
1.一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,其特征在于步骤如下:
(1)选取Ge衬底晶片,并采用蒸镀工艺于Ge衬底晶片表面沉积Ag金属层;
(2)通过光刻刻蚀将步骤(1)沉积Ag金属层制备为Ag金属格栅;
(3)利用MOCVD工艺于Ag金属格栅上外延生长三结砷化镓电池,获取沉积Ge底电池、GaAs中电池、GaInP顶电池;
(4)于Ge衬底晶片背面进行背面电极制备;
(5)利用光刻及干法刻蚀工艺于电池区域对Ag金属格栅上的GaAs中电池、GaInP顶电池进行刻蚀直至露出Ag金属格栅;
(6)于GaInP顶电池表面及电池区域露出的Ag金属格栅表面,通过光刻及蒸镀工艺制备负极;
(7)利用套刻及湿法腐蚀于GaInP顶电池表面制备减反射膜;
(8)利用高温合金工艺进行电极材料与外部半导体材料欧姆接触,根据所需光伏电池设计参数进行机械划片,连接负极与互联片、负极与激光输出二极管、背面电极与旁路二极管。
2.根据权利要求1所述的一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,其特征在于:
所述步骤(1)中,所述Ag金属层可替换为Au或Pt金属层。
3.根据权利要求1所述的一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,其特征在于:
所述步骤(2)中,所述Ag金属格栅根据光伏电池设计参数设计的光刻版图进行制备,红外透过率大于90%。
4.根据权利要求1所述的一种兼具激光供能与太阳发电的光伏电池制作方法,其特征在于:
所述步骤(3)中,外延生长三结砷化镓电池所得电池结构包括Ge底电池、GaAs中电池、GaInP顶电池、隧穿结、背场层、窗口层、帽子层,其中,所述Ge底电池、GaAs中电池、GaInP顶电池可替换为Ge底电池、GaInAs中电池、GaInP顶电池。
5.根据权利要求1所述的一种兼具激光供能与...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐道远,徐建明,张冬冬,马宁,蒋帅,陈开建,陈臻纯,
申请(专利权)人:上海空间电源研究所,
类型:发明
国别省市:上海;31
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