一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片，涉及光伏太阳能电池片结构技术领域。本实用新型专利技术包括晶硅电池片、上抗PID高透EVA胶膜、下抗PID高透EVA胶膜、超薄钢化玻璃和背板，晶硅电池片外表面包裹有SiO2薄膜，SiO2薄膜外表面包裹有上、下表面分别于上抗PID高透EVA胶膜、下抗PID高透EVA胶膜固定的氮化硅膜。本实用新型专利技术通过在镀氮化硅膜前生长一层SiO2层，SiO2薄膜在晶体硅电池工艺中可以用作掩膜，保护电池片不受外界条件影响，增加电池片的抗PID效果，而且SiO2层对晶体硅电池片还会起到表面钝化的作用，电池片的转换效率不仅不降还会得到一定程度的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片
本技术属于光伏太阳能电池片结构
，特别是涉及一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片。
技术介绍
随着化石类能源使用所带来的环境和生态问题的日益突出，世界各国纷纷将绿色能源开发作为当前的国事重点，在诸多新能源中，光伏因其独特的自身特点以及高速的技术发展优势独占鳌头。项目所涉及的晶体硅太阳能电池片为光伏太阳能电池片的主要产品，晶体硅太阳能电池具有在使用过程中不排放和发射任何有害物质，没有运动部件、无噪声、重量轻、体积小等特点，且具有模块化特征，可分散就地设置，建设周期短，工作寿命长20-25年，维护简便，运行可靠等优点，是一种十分理想的可再生洁净能源。在实际应用中由于单个晶体硅太阳能组件输出电压和功率偏低，不能满足生活或者生产需要，所以需要将多个组件串接。在长期高电压作用下，组件中玻璃和封装材料之间存在漏电现象，使得大量电荷和Na+离子富集在电池片表面，造成先是表面钝化减反射膜失效，然后PN结失效，最终使得组件性能持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减、极性化。目前，行业内非抗PID的常规电池片在双85，反向1000V，96h的条件下进行测试，功率衰减率达到3％以上，对光伏产品的有效推广形成了极大的阻碍，是电池片技术需攻克的技术重点。随着光伏产品使用要求的不断提高，业内竞争的不断增强，电池片的性能是决定企业未来在行业竞争中存败的关键，这就要求电池片制造者不断降低成本的同时还需提高电池片的性能、质量。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片，解决了现有的电池片的抗PID效果差的问题。为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：本技术为一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片，包括晶硅电池片、上抗PID高透EVA胶膜、下抗PID高透EVA胶膜、超薄钢化玻璃和背板，所述晶硅电池片外表面包裹有SiO2薄膜，所述SiO2薄膜外表面包裹有上、下表面分别于上抗PID高透EVA胶膜、下抗PID高透EVA胶膜固定的氮化硅膜；所述下抗PID高透EVA胶膜固定有均光层，所述均光层内部开设有导光腔，所述导光腔内壁顶部固定有分光板，所述导光腔内壁上以及分光板表面上均均匀涂布有反光层。进一步地，所述晶硅电池片上表面及下表面分别与上抗PID高透EVA胶膜、下抗PID高透EVA胶膜固定粘接。进一步地，所述均光层下表面与背板固定连接。进一步地，所述分光板关于均光层中轴线对称设置，所述分光板呈倾斜状，所述分光板倾斜角在30°-45°之间。进一步地，所述导光腔两侧内壁分别与对称设置的分光板平行。本技术具有以下有益效果：1、本技术通过在镀氮化硅膜前生长一层SiO2层，SiO2薄膜在晶体硅电池工艺中可以用作掩膜，保护电池片不受外界条件影响，增加电池片的抗PID效果，而且SiO2层对晶体硅电池片还会起到表面钝化的作用，电池片的转换效率不仅不降还会得到一定程度的提升。2、本技术能够实现电池片转换效率0.05％-0.1％的提升，组件同等测试条件测试PID衰减可由原先的3％以上降至1％以下，抗PID效果明显；所有晶硅电池片包含常规非常规电池片工艺均可与此叠加使用，应用前景十分广阔。3、本技术通过均光层的使用增加电池片光照面积，提高电池片转换效率的提升。当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术基于高温热氧化工艺的抗PID电池片的结构示意图；图2为晶硅电池片、SiO2薄膜、氮化硅膜配合的结构示意图；图3为均光层的结构示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下：1-晶硅电池片，2-上抗PID高透EVA胶膜，3-下抗PID高透EVA胶膜，4-背板，5-SiO2薄膜，6-氮化硅膜，7-均光层，701-导光腔，702-分光板，703-反光层，8-超薄钢化玻璃。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3所示，本技术为一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片，包括晶硅电池片1、上抗PID高透EVA胶膜2、下抗PID高透EVA胶膜3、超薄钢化玻璃8和背板4，晶硅电池片1外表面包裹有SiO2薄膜5，SiO2薄膜5外表面包裹有上、下表面分别于上抗PID高透EVA胶膜2、下抗PID高透EVA胶膜3固定的氮化硅膜6。下抗PID高透EVA胶膜3固定有均光层7，均光层7内部开设有导光腔701，导光腔701内壁顶部固定有分光板702，导光腔701内壁上以及分光板702表面上均均匀涂布有反光层703。其中，晶硅电池片1上表面及下表面分别与上抗PID高透EVA胶膜2、下抗PID高透EVA胶膜3固定粘接。其中，均光层7下表面与背板4固定连接。其中，分光板702关于均光层7中轴线对称设置，分光板702呈倾斜状，分光板702倾斜角在30°-45°之间。其中，导光腔701两侧内壁分别与对称设置的分光板702平行。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。以上公开的本技术优选实施例只是用于帮助阐述本技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本技术。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片，包括晶硅电池片(1)、上抗PID高透EVA胶膜(2)、下抗PID高透EVA胶膜(3)、超薄钢化玻璃(8)和背板(4)，其特征在于：/n所述晶硅电池片(1)外表面包裹有SiO2薄膜(5)，所述SiO2薄膜(5)外表面包裹有上、下表面分别于上抗PID高透EVA胶膜(2)、下抗PID高透EVA胶膜(3)固定的氮化硅膜(6)；/n所述下抗PID高透EVA胶膜(3)固定有均光层(7)，所述均光层(7)内部开设有导光腔(701)，所述导光腔(701)内壁顶部固定有分光板(702)，所述导光腔(701)内壁上以及分光板(702)表面上均均匀涂布有反光层(703)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于高温热氧化工艺的抗PID电池片，包括晶硅电池片(1)、上抗PID高透EVA胶膜(2)、下抗PID高透EVA胶膜(3)、超薄钢化玻璃(8)和背板(4)，其特征在于：
所述晶硅电池片(1)外表面包裹有SiO2薄膜(5)，所述SiO2薄膜(5)外表面包裹有上、下表面分别于上抗PID高透EVA胶膜(2)、下抗PID高透EVA胶膜(3)固定的氮化硅膜(6)；
所述下抗PID高透EVA胶膜(3)固定有均光层(7)，所述均光层(7)内部开设有导光腔(701)，所述导光腔(701)内壁顶部固定有分光板(702)，所述导光腔(701)内壁上以及分光板(702)表面上均均匀涂布有反光层(703)。


2.根据权利要求1所述的一种基于高温热氧化工艺的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵卫东，李永仓，费萌，汪梦彪，杨冬琴，张敏健，
申请(专利权)人：江苏东鋆光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32