一种防腐蚀的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防腐蚀的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体的外表面设置有材料基层，所述材料基层包括石英石材料层，所述石英石材料层远离材料基层的一侧设置有金刚石基层，所述材料基层远离单晶硅片本体的一侧设置有加强层，所述加强层远离材料基层的一侧设置有制绒层，所述制绒层远离加强层的一侧设置有防腐层，所述防腐层包括二氧化硅层，所述二氧化硅层远离防腐层的一侧设置有单晶硅薄膜层。本实用新型专利技术通过设置单晶硅片本体、材料基层、加强层、制绒层和防腐层的相互配合，达到了防腐蚀性能好的优点，不会影响单晶硅片的使用效果，可以满足使用者的需求，延长了单晶硅片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种防腐蚀的单晶硅片
本技术涉及单晶硅片
，具体为一种防腐蚀的单晶硅片。
技术介绍
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等，由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。目前现有的单晶硅片，防腐蚀性能差，会影响单晶硅片的使用效果，无法满足使用者的需求，缩短了单晶硅片的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防腐蚀的单晶硅片，具备防腐蚀性能好的优点，解决了现有的单晶硅片防腐蚀性能差的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种防腐蚀的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体的外表面设置有材料基层，所述材料基层远离单晶硅片本体的一侧设置有加强层，所述加强层远离材料基层的一侧设置有制绒层，所述制绒层远离加强层的一侧设置有防腐层，所述防腐层包括二氧化硅层，所述二氧化硅层远离防腐层的一侧设置有单晶硅薄膜层。优选的，所述材料基层包括石英石材料层，所述石英石材料层远离材料基层的一侧设置有金刚石基层。优选的，所述加强层包括多晶硅层，所述多晶硅层远离加强层的一侧设置有无定形硅层，所述多晶硅层的厚度与无定形硅层的厚度相同。优选的，所述单晶硅片本体的外表面与加强层的内表面接触，所述加强层的外表面与制绒层的内表面接触，所述制绒层的外表面与防腐层的内表面接触。优选的，所述加强层的厚度与制绒层的厚度相同，所述制绒层的厚度与防腐层的厚度相同。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：1、本技术通过设置单晶硅片本体、材料基层、加强层、制绒层和防腐层的相互配合，达到了防腐蚀性能好的优点，不会影响单晶硅片的使用效果，可以满足使用者的需求，延长了单晶硅片的使用寿命。2、本技术通过设置材料基层，具有优异的耐磨耗和抗疲劳性能，增加了单晶硅片本体的使用强度，通过设置加强层，具有耐紫外光老化性能，单晶硅片本体长期暴置在高温条件下仍能保持良好的力学性能，同时还具有良好的耐腐蚀性，增加了单晶硅片本体的耐腐蚀性和耐化学性，延长了单晶硅片本体的使用寿命，通过设置防腐层，具有耐老化，抗辐射的作用，增加了单晶硅片本体的耐腐蚀和耐老化的性能等，增加了单晶硅片本体的使用寿命。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术材料基层结构剖视图；图3为本技术加强层结构剖视图；图4为本技术防腐层结构剖视图。图中：1、单晶硅片本体；2、材料基层；21、石英石材料层；22、金刚石基层；3、加强层；31、多晶硅层；32、无定形硅层；4、制绒层；5、防腐层；51、二氧化硅层；52、单晶硅薄膜层。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本技术的保护范围有任何的限制作用。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请参阅图1-4，一种防腐蚀的单晶硅片，包括单晶硅片本体1，单晶硅片本体1的外表面与加强层3的内表面接触，加强层3的外表面与制绒层4的内表面接触，制绒层4的外表面与防腐层5的内表面接触，单晶硅片本体1的外表面设置有材料基层2，通过设置材料基层2，具有优异的耐磨耗和抗疲劳性能，增加了单晶硅片本体1的使用强度，材料基层2包括石英石材料层21，石英石材料层21远离材料基层2的一侧设置有金刚石基层22，材料基层2远离单晶硅片本体1的一侧设置有加强层3，通过设置加强层3，具有耐紫外光老化性能，单晶硅片本体1长期暴置在高温条件下仍能保持良好的力学性能，同时还具有良好的耐腐蚀性，增加了单晶硅片本体1的耐腐蚀性和耐化学性，延长了单晶硅片本体1的使用寿命，加强层3包括多晶硅层31，多晶硅层31远离加强层3的一侧设置有无定形硅层32，多晶硅层31的厚度与无定形硅层32的厚度相同，加强层3的厚度与制绒层4的厚度相同，制绒层4的厚度与防腐层5的厚度相同，加强层3远离材料基层2的一侧设置有制绒层4，制绒层4远离加强层3的一侧设置有防腐层5，通过设置防腐层5，具有耐老化，抗辐射的作用，增加了单晶硅片本体1的耐腐蚀和耐老化的性能等，增加了单晶硅片本体1的使用寿命，防腐层5包括二氧化硅层51，二氧化硅层51远离防腐层5的一侧设置有单晶硅薄膜层52，通过设置单晶硅片本体1、材料基层2、加强层3、制绒层4和防腐层5的相互配合，达到了防腐蚀性能好的优点，不会影响单晶硅片的使用效果，可以满足使用者的需求，延长了单晶硅片的使用寿命。使用时，通过设置材料基层2、石英石材料层21和金刚石基层22，具有优异的耐磨耗和抗疲劳性能，增加了单晶硅片本体1的使用强度，通过设置加强层3、多晶硅层31和无定形硅层32，具有耐紫外光老化性能，单晶硅片本体1长期暴置在高温条件下仍能保持良好的力学性能，同时还具有良好的耐腐蚀性，增加了单晶硅片本体1的耐腐蚀性和耐化学性，延长了单晶硅片本体1的使用寿命，通过设置防腐层5、二氧化硅层51和单晶硅薄膜层52，具有耐老化，抗辐射的作用，增加了单晶硅片本体1的耐腐蚀和耐老化的性能等，增加了单晶硅片本体1的使用寿命。本申请文件中所有的部件，根据说明书和附图的记载均可以进行订制，本申请文件中各层之间的连接关系和具体结构均采用现有技术，诸如通过机械方法、通过粘合剂、通过各种焊接方法双芯缆叠加的层次越多，使用性能就越好，生产工艺包括：拉制、绞制和包覆，包覆工艺分为：挤包、纵包、绕包和浸涂在此不再作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防腐蚀的单晶硅片，包括单晶硅片本体（1），其特征在于：所述单晶硅片本体（1）的外表面设置有材料基层（2），所述材料基层（2）远离单晶硅片本体（1）的一侧设置有加强层（3），所述加强层（3）远离材料基层（2）的一侧设置有制绒层（4），所述制绒层（4）远离加强层（3）的一侧设置有防腐层（5），所述防腐层（5）包括二氧化硅层（51），所述二氧化硅层（51）远离防腐层（5）的一侧设置有单晶硅薄膜层（52）。/n

【技术特征摘要】
1.一种防腐蚀的单晶硅片，包括单晶硅片本体（1），其特征在于：所述单晶硅片本体（1）的外表面设置有材料基层（2），所述材料基层（2）远离单晶硅片本体（1）的一侧设置有加强层（3），所述加强层（3）远离材料基层（2）的一侧设置有制绒层（4），所述制绒层（4）远离加强层（3）的一侧设置有防腐层（5），所述防腐层（5）包括二氧化硅层（51），所述二氧化硅层（51）远离防腐层（5）的一侧设置有单晶硅薄膜层（52）。


2.根据权利要求1所述的一种防腐蚀的单晶硅片，其特征在于：所述材料基层（2）包括石英石材料层（21），所述石英石材料层（21）远离材料基层（2）的一侧设置有金刚石基层（22）。


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【专利技术属性】
技术研发人员：张弓，
申请(专利权)人：新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32