一种发射极局部高掺杂的IBC电池及其制备方法技术

本专利提供了一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。本发明专利技术涉及IBC电池发射极区域两次分步扩散，第一步低掺杂，降低暗饱和电流和少子复合率，第二步高掺杂，降低被正电极收集路径中的串联电阻，进一步提升IBC电池效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发射极局部高掺杂的IBC电池及其制备方法
本专利技术涉及一种太阳能电池，特别是发射极局部高掺杂的IBC电池领域。
技术介绍
随着化石能源逐渐枯竭、环境保护意识日益高涨，人们愈加认识到发展可再生能源的重要性。太阳能是一种清洁的可再生的能源，取之不尽，用之不竭。开发和利用太阳能，对环境的污染小，能为人类提供充足的能量，亦不会影响自然界的生态平衡，相对于其他新能源如风能、地热能和潮汐能等，太阳能以可利用率高、资源分布广泛和使用安全可靠等诸多优点，成为最具有发展前景的能源之一。N型IBC太阳电池是目前转换效率最高的产业化太阳电池之一，该电池以n型单晶硅为衬底，p-n结和金属电极全部以叉指形状置于电池背面，正面没有电极遮光，并且通过表面制绒和增加减反射层来提高电池对光的吸收，获得了非常高的短路电流和光电转换效率。现有IBC电池的技术方案为：首先对硅片进行清洗制绒，然后对电池前表面进行减反射和钝化处理，其次在电池背面通过掩膜技术分别进行硼掺杂和磷掺杂，最后在电池背面丝网印刷正极和负极，经过高温烧结最终制成电池片。r>现有IBC太阳电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。


2.一种如权利要求1所述的发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，制造步骤如下：
S1、选择N型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；
S2、使用低压高温扩散炉对硅片背表面进行硼扩散；
S3、使用PECVD设备在硅片背面沉积氮化硅膜；
S4、使用低压高温扩散炉对硅片前表面进行磷扩散形成FSF；
S5、使用激光开槽设备对硅片背表面N型BSF区域进行开槽；
S6、使用低压高温扩散炉对硅片背面激光开槽区域进行磷扩散；
S7、使用PECVD设备在硅片正反面沉积氮化硅膜；
S8、使用激光开槽设备对P型发射极中心区域的氮化硅层进行激光开槽；
S9、使用低压高温扩散炉对激光开槽区域进行单面硼扩散；
S10、对硅片进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；
S11、放入烧结炉进行烧结，烧结温度为700-1000℃，最终得到IBC电池。


3.根据权利要求2所述的一种发射极...

【专利技术属性】
技术研发人员：高嘉庆，郭永刚，宋志成，屈小勇，吴翔，马继奎，张博，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，黄河水电西宁太阳能电力有限公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61