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本专利提供了一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(...该专利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司授权不得商用。