III族氮化物半导体晶体的制造装置制造方法及图纸

一种III族氮化物半导体晶体的制造装置具备：原料反应室；原料反应部，设置于原料反应室内，并生成含III族元素气体；基板保持构件，保持基板；原料喷嘴，朝向基板喷射含III族元素气体；氮源喷嘴，朝向基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与基板相比的近前方与原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成含III族元素气体与含氮元素气体进行混合的混合部；加热单元，用于将原料反应室、原料喷嘴、氮源喷嘴和基板保持构件进行加热；以及旋转机构，用于将基板保持构件进行旋转。

【技术实现步骤摘要】
III族氮化物半导体晶体的制造装置
本专利技术涉及III族氮化物半导体晶体的制造装置。特别是，涉及作为具备喷嘴的气相生长装置的III族氮化物半导体晶体的制造装置，，所述喷嘴是与用于载置反应炉内的被处理基板的基板保持构件对向地配置，用于朝向被处理基板供给气体而设置的。
技术介绍
GaN、AlGaN、InGaN等III族氮化物半导体被用于例如发光二极管、半导体激光器等光器件、异质结高速电子器件等领域。在作为III族氮化物半导体的GaN的制造方法之一中，使III族元素金属(例如，Ga金属)与氯化物气体(例如，HCl气体)反应，生成III族元素金属氯化物气体(GaCl气体)，由所述III族元素金属氯化物与含氮元素气体(例如，NH3气体)使GaN生长的氢化物气相外延法(HydrideVaρorPhaseEpitaxy，HVPE法)正在实用化(例如参照专利文献1。)。然而，所述HVPE法中，存在晶体生长中作为副产物的NH4Cl(氯化铵)大量地产生，堵塞制造装置的排气配管，因此阻碍晶体生长的课题。作为解决该问题的方法，提出了使III族元素金属(例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种III族氮化物半导体晶体的制造装置，其具备：/n原料反应室；/n原料反应部，其设置于所述原料反应室内，生成含III族元素气体；/n基板保持构件，其在所述原料反应室内保持基板；/n原料喷嘴，其在所述原料反应室内朝向所述基板喷射所述含III族元素气体；/n氮源喷嘴，其在所述原料反应室内朝向所述基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与所述基板相比的近前方与所述原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成所述含III族元素气体与所述含氮元素气体进行混合的混合部；/n加热单元，其在所述原料反应室内，用于加热所述原料反应室、所述原料喷嘴、所述氮源喷...

【技术特征摘要】
20190606 JP 2019-106289;20200319 JP 2020-0497041.一种III族氮化物半导体晶体的制造装置，其具备：
原料反应室；
原料反应部，其设置于所述原料反应室内，生成含III族元素气体；
基板保持构件，其在所述原料反应室内保持基板；
原料喷嘴，其在所述原料反应室内朝向所述基板喷射所述含III族元素气体；
氮源喷嘴，其在所述原料反应室内朝向所述基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与所述基板相比的近前方与所述原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成所述含III族元素气体与所述含氮元素...

【专利技术属性】
技术研发人员：布袋田畅行，松野俊一，泷野淳一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP