处理液及处理方法技术

根据一实施方式，提供一种处理液。处理液是用于对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的处理液。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理液及处理方法
本专利技术的实施方式涉及处理液及处理方法。
技术介绍
半导体硅基板作为用于形成各种电子电路的材料被广泛使用。在该半导体硅基板上，有时为了容易制作电子电路而形成含有含硅物的膜。作为用于形成这样的膜的装置，使用了外延生长装置。外延生长装置具备反应室、与反应室连接且供给原料气体的供给管和与反应室连接且排出排气的排出管。外延生长装置通过于在不活泼气氛下被减压的反应室内设置基板，使导入至反应室内的原料气体与加热后的基板反应，从而在基板上形成含有含硅物的膜。作为原料气体，例如使用含有包含硅及氯的化合物的氢气。导入至反应室内的原料气体作为排气经由排出管向装置的外部排出。排气可能含有包含硅及氯的化合物。其中，反应室内的温度与排出管相比为非常高温。因此，排出至排出管内的排气中所含的包含硅及氯的化合物有时在排出管内被冷却，作为副产物而析出。副产物也被称为油性硅烷，可能为粘性高的液状物质。要求通过安全性高的方法将这样的副产物无害化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-49342号公报...

【技术保护点】
1.一种处理液，其是用于对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的处理液，其中，所述处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 JP 2018-055615;20180323 JP 2018-055698;201.一种处理液，其是用于对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的处理液，其中，所述处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。


2.根据权利要求1所述的处理液，其包含所述无机碱，所述无机碱包含选自由金属氢氧化物、碱金属、碳酸盐、碳酸氢盐及金属氧化物构成的组中的至少1种。


3.根据权利要求1所述的处理液，其包含所述有机碱，所述有机碱包含选自由烷基氢氧化铵类、有机金属化合物、金属醇盐、胺及杂环式胺构成的组中的至少1种。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其pH值为8以上且14以下。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的处理液，其进一步包含表面活性剂。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的处理液，其进一步包含pH缓冲剂。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的处理液，其中，所述具有环状结构的卤硅烷类包含具有环状结构的氯硅烷类。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理液，其对所述具有环状结构的卤硅烷类及具有链状结构的卤硅烷类这两者进行处理。


9.一种处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：内田健哉，福井博之，植松育生，岩本武明，权垠相，
申请(专利权)人：株式会社东芝，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP