一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法技术

本发明专利技术涉及一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法。一种沉积薄膜的方法，包括下列步骤：在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积薄膜；其中，所述除杂采用氢气气氛下退火处理或远程氢等离子体表面处理。该方法可以除去碳、氮杂质，提高薄膜表面的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法
本专利技术涉及半导体制备领域，特别涉及一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法。
技术介绍
随着电子设备的微型化，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)作为重要的元件，在其有源化制作过程中，若在刻蚀沟槽后直接进行有源侧壁氧化，会产生有源区减薄，进而导致后续工艺不良，例如有源区上的接触面积减少。为了改善这种现象，在刻蚀沟槽后，沉积非晶硅，再进行后续氧化工艺，以防止有源区顶部减薄的问题。然而若利用非晶硅嵌入接触孔、线等，则成膜后的非晶硅在接触孔部的覆盖率差，容易产生纳米缺陷或针孔等，并且非晶硅膜表面的粗糙度大，常见如图1至3的情况。为了改善非晶硅膜表面的粗糙度，在形成非晶硅膜之前先在基底表面形成籽晶层。籽晶层通常以氨基硅烷系气体(二异丙基氨基硅烷、双(二乙基胺基)硅烷)为前驱体，这导致形成籽晶层后会引入碳、氮等杂质，造成器件不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种沉积薄膜的方法，该方法可以去除碳、氮杂质，提高非晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：/n在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积膜；/n其中，所述除杂采用氢气气氛下退火处理或远程氢等离子体表面处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种沉积薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积膜；
其中，所述除杂采用氢气气氛下退火处理或远程氢等离子体表面处理。


2.根据权利要求1所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为以下。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述籽晶层采用的前驱体采用以下中的至少一种：二异丙基氨基硅烷、双(二乙基胺基)硅烷。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积膜采用的前驱体为硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷中的至少一种。


5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述氢气气氛下退火处...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相遇，熊文娟，蒋浩杰，李亭亭，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11