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本发明涉及一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法。一种沉积薄膜的方法，包括下列步骤：在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积薄膜；其中，所述除杂采用氢气气氛下退火处理或远程氢等离子体表面处理。该方法可以除去碳、氮杂质，提高薄膜表...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。