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一种III族氮化物半导体晶体的制造装置具备：原料反应室；原料反应部，设置于原料反应室内，并生成含III族元素气体；基板保持构件，保持基板；原料喷嘴，朝向基板喷射含III族元素气体；氮源喷嘴，朝向基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的...
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