对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置和方法，属于半导体晶圆加工领域。该装置包括上承载台和下承载台，所述下承载台上设置有第一吸附装置，所述下承载台的上表面设置有垫片，所述垫片连接有垫片驱动装置，所述下承载台下表面设置有升降及角度调节装置；所述上承载台包括内框和外框，所述内框的边缘区域位于所述外框上方，所述内框通过重力平衡装置与所述外框浮动连接，所述内框的边缘区域上设置有多个电容传感器，所述内框上设置有第二吸附装置。本发明专利技术采用楔形误差补偿的方法消除上下晶圆之间的楔形误差，使两片不平行的晶圆达到三维平行，最终达到提高晶圆键合精度的效果。

【技术实现步骤摘要】
对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置和方法
本专利技术涉及半导体晶圆加工领域，特别是指一种对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置和方法。
技术介绍
在IC制造过程中涉及多种半导体工艺，这些工艺需要用到不同的设备与方法，伴随着半导体工艺从微米级别发展到深亚微米、纳米级别，对IC制造过程的各个分系统的精准工作要求越来越高。作为在IC制造设备的一个关键部件就是晶圆对准预键合装置，此装置能达到的精度与效度将直接影响晶圆键合成功与否。在晶圆对准预键合工艺制造过程中，首先要满足的前提是将两片晶圆精准对位，即将两片晶圆分别进行表面处理后，通过精密的光学系统对两片晶圆上指定位置的标记(Mark)进行识别、定位，然后将两片晶圆进行对准。在晶圆对准预键合时，经常会出现两片晶圆平行度达不到要求的情况，上下两片晶圆不平行，存在楔形误差，导致对准预键合时，上下两片晶圆存在键合精度误差。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置和方法，本专利技术采用楔形误差补偿的方法消除上下晶圆之间的楔形误差，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，包括上承载台和下承载台，其中：/n所述下承载台上设置有第一吸附装置，所述下承载台的上表面设置有垫片，所述垫片连接有垫片驱动装置，所述下承载台下表面设置有升降及角度调节装置；/n所述上承载台包括内框和外框，所述内框的边缘区域位于所述外框上方，所述内框通过重力平衡装置与所述外框浮动连接，所述内框的边缘区域上设置有多个电容传感器，所述内框上设置有第二吸附装置。/n

【技术特征摘要】
20200707 CN 20201064377181.一种对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，包括上承载台和下承载台，其中：
所述下承载台上设置有第一吸附装置，所述下承载台的上表面设置有垫片，所述垫片连接有垫片驱动装置，所述下承载台下表面设置有升降及角度调节装置；
所述上承载台包括内框和外框，所述内框的边缘区域位于所述外框上方，所述内框通过重力平衡装置与所述外框浮动连接，所述内框的边缘区域上设置有多个电容传感器，所述内框上设置有第二吸附装置。


2.根据权利要求1所述的对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，所述外框的内侧下部设置有向内的基台，所述内框的边缘区域位于所述基台上方，所述电容传感器设置在所述内框的边缘区域上并位于所述基台的上方。


3.根据权利要求2所述的对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，所述升降及角度调节装置包括多个升降单元，多个升降单元位于下承载台下表面的不同位置。


4.根据权利要求3所述的对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，所述多个升降单元在下承载台下表面对称分布，多个电容传感器在所述内框的边缘区域上对称分布，所述垫片的数量为多个，多个垫片在下承载台上表面的边缘区域上对称分布。


5.根据权利要求1-4任一所述的对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，所述重力平衡装置为多个重力平衡气缸，每个重力平衡气缸均设置在外框上并通过一个竖向的弹簧与内框连接。


6.根据权利要求5所述的对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，其特征在于，所述重力平衡气缸的活塞杆竖直向上，所述活塞杆顶端与横向的连杆连接，所述弹簧的顶端与连杆连接，底端与内框上表面的边缘区域连接。


7.根据权利要求6所述的对晶圆键合中楔形误差进行补偿的装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：司伟，杨光，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11